[发明专利]一种大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法在审

专利信息
申请号: 201410806368.7 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN104488717A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 赵泓;王永勤;王贤 申请(专利权)人: 北京市农林科学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 刘春成
地址: 100097 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 大葱 花蕾 培养 获得 多种 再生 植株 方法
【权利要求书】:

1.一种大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:包括以下步骤:

外植体处理步骤:

选取大葱材料的外植体,进行消毒处理,得到消毒后的外植体;

不定芽诱导步骤:

将所述消毒后的外植体置于诱导培养基上,进行不定芽诱导,得到不定芽;

再生芽培养步骤:

将所述不定芽置于成苗培养基上,进行再生芽培养,得到幼苗植株。

2.根据权利要求1所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:

所述不定芽诱导步骤包括:

热激步骤:将所述消毒后的外植体置于诱导培养基上进行热激处理,得到热激后的外植体;

暗培养步骤:将所述热激后的外植体置于诱导培养基上进行暗培养处理,得到暗培养后的外植体;

光照培养步骤:将所述暗培养后的外植体进行光照培养处理,得到不定芽。

3.根据权利要求2所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:

所述热激步骤中,所述热激处理为:于温度为33℃避光培养为3~9天;

所述暗培养步骤中,所述暗培养处理为:于温度为23~27℃避光培养为2~4周;

所述光照培养步骤中,所述光照培养处理为:光照条件为光照16小时/天,温度为23~27℃,时间为2周以上。

4.根据权利要求1或2所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:

所述诱导培养基是,以基本培养基为基础,添加6-苄基腺嘌呤1.0~5.0mg/L,2,4-二氯苯氧乙酸1.0~5.0mg/L;优选地,添加6-苄基腺嘌呤2.0mg/L,2,4-二氯苯氧乙酸2.0mg/L。

5.根据权利要求1或2所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述成苗培养基是MS基本培养基。

6.根据权利要求4所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:

所述诱导培养基中,所述基本培养基为MS基本培养基,和/或B5基本培养基。

7.根据权利要求1所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述大葱材料为扁杆葱、天津五叶齐、五叶齐。

8.根据权利要求1所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述外植体为开花前1~3天花蕾。

9.根据权利要求1或8所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述外植体为切除花柄的花蕾,和/或保留1~2mm花柄的花蕾。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京市农林科学院,未经北京市农林科学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410806368.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top