[发明专利]一种大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法在审
申请号: | 201410806368.7 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104488717A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 赵泓;王永勤;王贤 | 申请(专利权)人: | 北京市农林科学院 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 100097 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大葱 花蕾 培养 获得 多种 再生 植株 方法 | ||
1.一种大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:包括以下步骤:
外植体处理步骤:
选取大葱材料的外植体,进行消毒处理,得到消毒后的外植体;
不定芽诱导步骤:
将所述消毒后的外植体置于诱导培养基上,进行不定芽诱导,得到不定芽;
再生芽培养步骤:
将所述不定芽置于成苗培养基上,进行再生芽培养,得到幼苗植株。
2.根据权利要求1所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:
所述不定芽诱导步骤包括:
热激步骤:将所述消毒后的外植体置于诱导培养基上进行热激处理,得到热激后的外植体;
暗培养步骤:将所述热激后的外植体置于诱导培养基上进行暗培养处理,得到暗培养后的外植体;
光照培养步骤:将所述暗培养后的外植体进行光照培养处理,得到不定芽。
3.根据权利要求2所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:
所述热激步骤中,所述热激处理为:于温度为33℃避光培养为3~9天;
所述暗培养步骤中,所述暗培养处理为:于温度为23~27℃避光培养为2~4周;
所述光照培养步骤中,所述光照培养处理为:光照条件为光照16小时/天,温度为23~27℃,时间为2周以上。
4.根据权利要求1或2所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:
所述诱导培养基是,以基本培养基为基础,添加6-苄基腺嘌呤1.0~5.0mg/L,2,4-二氯苯氧乙酸1.0~5.0mg/L;优选地,添加6-苄基腺嘌呤2.0mg/L,2,4-二氯苯氧乙酸2.0mg/L。
5.根据权利要求1或2所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述成苗培养基是MS基本培养基。
6.根据权利要求4所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:
所述诱导培养基中,所述基本培养基为MS基本培养基,和/或B5基本培养基。
7.根据权利要求1所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述大葱材料为扁杆葱、天津五叶齐、五叶齐。
8.根据权利要求1所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述外植体为开花前1~3天花蕾。
9.根据权利要求1或8所述大葱花蕾培养获得多种倍性再生植株的方法,其特征在于:所述外植体为切除花柄的花蕾,和/或保留1~2mm花柄的花蕾。
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