[发明专利]包括柔性电荷捕获层的非易失性存储装置及其制造方法在审
申请号: | 201410806526.9 | 申请日: | 2014-12-19 |
公开(公告)号: | CN104733466A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 金俊亨 | 申请(专利权)人: | SK新技术株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谢顺星;张晶 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 柔性 电荷 捕获 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种非易失性存储装置,其包含:
适合捕获柔性衬底上方的电荷的电荷捕获层,
其中所述电荷捕获层包含:
在所述柔性衬底上方形成的连接层,其中所述连接层包括适合结合金属离子的多重连接基团;
金属纳米粒子,其在所述连接层上方、由所述金属离子形成;以及
埋藏所述金属纳米粒子的氮化物层。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述柔性衬底包含作为表面层的有机材料,包含羟基(-OH)官能团的所述有机材料能够结合到所述连接基团。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述柔性衬底是包括选自聚对苯二甲酸(PET)、聚萘二甲酸(PEN)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚丙烯(PP)、三醋酸纤维素(TAC)、聚醚砜(PES)及聚二甲基硅氧烷(PDMS)中的一种或两种或多种的混合物的聚合物。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,进一步包含:
插入在所述柔性衬底和所述电荷捕获层之间的第一氧化物;
在所述电荷捕获层上方形成的第二氧化物;以及
在所述第二氧化物上方形成的栅极。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述连接基团是结合到所述柔性衬底的表面上的有机分子。
6.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述电荷捕获层进一步包含结合到所述金属离子或所述金属纳米粒子上的一种或多种类型的有机表面活性剂。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储装置,其中所述有机表面活性剂是含氮有机材料或含硫有机材料。
8.根据权利要求6所述的非易失性存储装置,其中所述有机表面活性剂包含不同类型的第一有机材料和第二有机材料,并且
所述第一有机材料是含氮有机材料或含硫有机材料,以及
所述第二有机材料是基于催化剂的相变有机材料。
9.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述金属纳米粒子具有大约0.5到3.0nm的平均粒径。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储装置,其中所述金属纳米粒子具有大约±20%或更小的粒子半径标准差。
11.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中所述连接层是形成在所述衬底上的有机分子的自组装单分子层。
12.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述连接层是具有选自胺基(-NH2)、羧基(-COOH)及硫醇基(-SH)中的至少一个官能团的硅烷化合物层。
13.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述连接基团的每一个包含:
结合到所述衬底的表面上的第一官能团;
结合到所述金属离子的第二官能团;以及
用于将所述第一官能团和所述第二官能团彼此耦接的链群。
14.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述金属纳米粒子选自金属纳米粒子、金属氧化物纳米粒子、金属氮化物纳米粒子、金属碳化物纳米粒子及金属互化物纳米粒子。
15.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述金属纳米粒子彼此间隔排列以形成一个金属纳米粒子厚度的单层。
16.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述电荷捕获层具有垂直的多重堆叠结构,其中所述连接层和由所述金属纳米粒子形成的纳米粒子层交替并重复堆叠。
17.一种非易失性存储装置,包含:
适合捕获柔性衬底上的电荷的电荷捕获层,
其中所述电荷捕获层包含:
在所述柔性衬底上方形成的电介质粒子载体;
在所述电介质粒子载体上方形成的连接基团,其中所述连接基团适合结合金属离子;以及
由所述金属离子形成的金属纳米粒子。
18.根据权利要求17所述的非易失性存储装置,其中,所述柔性衬底包含作为表面层的有机材料,所述有机材料包括羟基官能团(-OH)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的