[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

本发明的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例为一种方法，包括：形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯、第一电连接件和第一再分布层，第一再分布层连接至第一管芯和第一电连接件；在第一管芯封装件上方形成底部填充物；图案化底部填充物以具有露出第一电连接件的一部分的开口；以及利用接合结构将第二管芯封装件接合至第一管芯封装件，接合结构连接至底部填充物的开口中的第一电连接件。

技术领域

本发明总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路部件和元件来制造。

半导体工业由于各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的改进而经历了快速发展。很大程度上，这种集成密度的改进源于半导体工艺节点的缩小(例如，朝向亚20nm节点的工艺节点的缩小)。随着近年来对小型化、更高速度和更大宽度、以及更低功耗和更小延迟的需求的增长，对于更小且更具创造性的半导体管芯的封装技术的需求也正在增长。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：形成第一封装件；利用接合结构将第二封装件接合至第一封装件，接合结构连接至第一电连接件；以及在第一封装件和第二封装件之间形成底部填充物。其中，形成第一封装件包括：在载体衬底上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一电连接件；将第一管芯附接为与第一电连接件相邻且位于第一介电层上方；在第一管芯和第一电连接件上方形成再分布层；在再分布层上方形成第二电连接件，第二电连接件连接至第一管芯和第一电连接件中的至少一个；去除载体衬底以露出第一介电层；和去除第一介电层以露出第一管芯和第一电连接件的一部分。

优选地，在第一封装件和第二封装件之间形成底部填充物包括：在利用接合结构将第一封装件接合至第一封装件之后，在第一封装件和第二封装件之间注入底部填充物，底部填充物环绕接合结构。

优选地，在第一封装件和第二封装件之间注入底部填充物之后，第一管芯的一部分透过底部填充物露出。

优选地，在第一封装件和第二封装件之间形成底部填充物包括：在利用接合结构将第一封装件接合至第二封装件之前，在第一封装件上方形成底部填充物；和图案化底部填充物，以至少露出第一电连接件的一部分。

优选地，图案化底部填充物还包括：图案化底部填充物以露出第一管芯的一部分。

优选地，在第一封装件和第二封装件之间形成底部填充物包括：形成液体环氧树脂、可变形凝胶、硅橡胶、非导电膜、聚合物、聚苯并唑、聚酰亚胺、阻焊剂或它们的组合。

优选地，去除第一介电层还包括：蚀刻第一介电层以露出第一管芯和第一电连接件的一部分。

优选地，去除第一介电层还包括：研磨第一介电层以露出第一管芯和第一电连接件的一部分。

优选地，形成第一封装件还包括：利用模制材料来封装第一管芯和第一电连接件，第一电连接件延伸穿过模制材料，第二电连接件为金属凸块。

根据本发明的另一方面，提供了一种方法，包括：形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯、第一电连接件和第一再分布层，第一再分布层连接至第一管芯和第一电连接件；在第一管芯封装件上方形成底部填充物；图案化底部填充物以具有露出第一电连接件的一部分的开口；以及利用接合结构将第二管芯封装件接合至第一管芯封装件，接合结构连接至底部填充物的开口中的第一电连接件。

优选地，该方法还包括：将第一管芯封装件和第二管芯封装件与相邻的管芯封装件分割开以形成半导体封装件，半导体封装件包括第一管芯封装件和第二管芯封装件。