[发明专利]电平位移装置及其使用方法有效
申请号: | 201410808386.9 | 申请日: | 2014-12-22 |
公开(公告)号: | CN105322941B | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 黄琮靖;陈建宏;黃明杰;林志昌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电平 位移 装置 及其 使用方法 | ||
1.一种电平位移装置,包括:
第一电容器,所述第一电容器的第一侧被配置为接收第一电压;
边沿检测器,被配置为接收所述第一电压;
输出反相器,连接至所述第一电容器的第二侧,所述输出反相器被配置为输出所述电平位移装置的输出信号;
锁存器回路,所述锁存器回路被配置为将所述输出信号反馈至所述输出反相器的输入端,其中,所述边沿检测器被配置为选择性地中断所述输出信号至所述输出反相器的输入端的反馈。
2.根据权利要求1所述的电平位移装置,其中,所述锁存器回路包括:
反馈反相器,所述反馈反相器的输入端连接至所述输出反相器的输出端;以及
传输门,连接在所述反馈反相器的输出端和所述输出反相器的输入端之间。
3.根据权利要求2所述的电平位移装置,其中,所述边沿检测器连接至所述传输门。
4.根据权利要求1所述的电平位移装置,还包括:输入反相器,所述输入反相器被配置为接收输入信号,所述输入反相器的输出端连接至所述第一电容器的第一侧。
5.根据权利要求1所述的电平位移装置,其中,所述边沿检测器连接至所述第一电容器的第一侧。
6.根据权利要求1所述的电平位移装置,其中,所述第一电容器的电容大于布局依赖寄生电容。
7.根据权利要求1所述的电平位移装置,其中,所述第一电容器的电容在数十毫微微法拉(fF)的范围内。
8.根据权利要求1所述的电平位移装置,其中,所述边沿检测器被配置为将所述输出信号的所述反馈中断一段持续时间,所述持续时间在0.5皮秒(ps)至1.5皮秒(ps)的范围内。
9.根据权利要求1所述的电平位移装置,其中,所述边沿检测器包括:
第一输入电容器,被配置为在所述第一输入电容器的第一侧处接收第一边沿输入;
第一晶体管,连接在逻辑低电压和所述第一输入电容器的第二侧之间;
第二晶体管,连接在所述逻辑低电压和所述边沿检测器的第一输出端之间,其中,所述第二晶体管的栅极连接至所述第一输入电容器的第二侧;
第三晶体管,连接在逻辑高电压和所述边沿检测器的所述第一输出端之间;
第二输入电容器,被配置为在所述第二输入电容器的第一侧处接收第二边沿输入;
第四晶体管,连接在所述逻辑低电压和所述边沿检测器的第一输出端之间,其中,所述第四晶体管的栅极连接至所述第二输入电容器的第二侧;以及
第五晶体管,连接在所述逻辑低电压和所述第二输入电容器的第二侧之间。
10.根据权利要求9所述的电平位移装置,其中,所述边沿检测器还包括:边沿反相器,所述边沿反相器连接至所述边沿检测器的第一输出端并且被配置为输出所述边沿检测器的第二输出。
11.根据权利要求9所述的电平位移装置,其中,所述第一晶体管、所述第三晶体管和所述第五晶体管均被配置为在运行的整个周期期间是导电的。
12.根据权利要求1所述的电平位移装置,还包括:第二电容器,其中,所述第二电容器的第一侧连接至逻辑高电压,而所述第二电容器的第二侧连接至所述第一电容器的第二侧。
13.根据权利要求12所述的电平位移装置,其中,所述第二电容器的电容大于布局依赖寄生电容。
14.根据权利要求12所述的电平位移装置,其中,所述第二电容器的电容在数十毫微微法拉(fF)的范围内。
15.一种使用电平位移装置的方法,所述方法包括:
响应于输入信号输出上移输出信号,其中,所述输出信号的电压摆动等于所述输入信号的电压摆动;
将所述输出信号反馈至所述电平位移装置;
响应于所述输入信号的转换而中断所述输出信号的所述反馈;以及
在中断持续时间之后,恢复将所述输出信号反馈至所述电平位移装置。
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