[发明专利]存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

一基底，具有多个第一区与多个第二区，其中这些第一区与这些第二区沿着一第一方向延伸，且沿着一第二方向相互交替；

多个隧穿介电层，位于该基底上，这些隧穿介电层沿着该第二方向延伸，且横越这些第一区与这些第二区；

多个隔离结构，每一隔离结构具有一上部与一下部，其中这些隔离结构的这些下部位于该基底中，与这些隧穿介电层沿着该第一方向相互交替，这些隔离结构的这些上部位于这些下部上；

多个顶盖层，位于这些隔离结构的这些上部上，其中这些顶盖层的顶面为一平面；

多个第一导体层，位于这些第二区的这些隧穿介电层上；

一介电层，覆盖在这些第一导体层上；以及

一第二导体层，位于该介电层上，该第二导体层具有一主体部与多个延伸部，这些延伸部与这些第一导体层沿着该第一方向相互交替；

其中每一隔离结构的该上部以及位于该上部上的该顶盖层的结构满足下列式(1)至式(2)：

式(1)：b≤a＜c，

式(2)：b≥1/3a，

其中a为该第二导体层的每一延伸部的底部宽度，b为每一顶盖层的顶面宽度，c为每一隔离结构的该上部的底面宽度。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中每一隔离结构的该上部的顶面高于每一隧穿介电层的顶面，每一隔离结构的该上部的底面与每一隧穿介电层的顶面等高。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中该顶盖层的材料包括高介电常数材料或高介电常数材料与低介电常数材料的组合。

4.一种存储元件，包括：

一基底；

多个隧穿介电层，位于该基底上；

多个隔离结构，每一隔离结构具有一上部与一下部，其中这些隔离结构的这些下部位于该基底中，与这些隧穿介电层沿着一第一方向相互交替，这些隔离结构的这些上部位于这些下部上；以及

多个顶盖层，位于这些隔离结构的这些上部上，其中这些顶盖层的顶面为一平面；

其中每一隔离结构的该上部以及位于该上部上的该顶盖层的结构满足下列式(1)至式(2)：

式(1)：b≤c-2×T2＜c，

式(2)：

其中，T1为该上部的厚度，T2为该顶盖层的厚度，b为每一顶盖层的顶面宽度，c为每一隔离结构的该上部的底面宽度。

5.根据权利要求4所述的存储元件，其中每一隔离结构的该上部的顶面高于每一隧穿介电层的顶面，每一隔离结构的该上部的底面与每一隧穿介电层的顶面等高。

6.一种存储元件的制造方法，包括：

于一基底上形成多个叠层，每一叠层包括一隧穿介电层与一第一导体层，其中该第一导体层位于该隧穿介电层上；

于这些叠层与该基底中形成多个隔离结构；

以这些叠层为掩模，移除部分这些隔离结构，以于这些叠层中形成多个开口，这些开口的底面高于该隧穿介电层的顶面；

于这些隔离结构与这些叠层上共形形成一介电层；

于这些隔离结构上形成一第二导体层；

以该第二导体层为掩模，移除部分该介电层，以形成一顶盖层，暴露该第一导体层的表面；以及

移除该第一导体层与该第二导体层，以暴露该隧穿介电层的顶面。

7.根据权利要求6所述的存储元件的制造方法，在移除部分该介电层的步骤中，该介电层与该第一导体层的刻蚀选择比以及该介电层与该第二导体层的刻蚀选择比为1至15。

8.根据权利要求6所述的存储元件的制造方法，其中该介电层的材料包括高介电常数材料或高介电常数材料与低介电常数材料的组合。