[发明专利]一种多晶硅太阳能组件的生产方法无效
申请号: | 201410808874.X | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN104465883A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 骆晓芳 | 申请(专利权)人: | 常熟高嘉能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 袁红红 |
地址: | 215500 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 太阳能 组件 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能光伏组件加工技术领域,特别是涉及一种多晶硅太阳能组件的生产方法。
背景技术
光伏组件加工工艺是太阳能光伏产业技术链的重要组成部分,其方式是将一片片单片的脆弱的电池片通过串并联连接,并采用五层封装的方式将电池片封装成一块块的组件,使其能在恶劣的户外环境中安全可靠的运行。
目前,主流的光伏组件的加工工艺是采用EVA、背板、玻璃等材料将电池片用五层封装的方式压合成光伏组件,其制作工序主要有:电池片分选、电池片单片焊接、电池片串联焊接、组件叠层、组件层压、边框安装和接线盒安装、成品测试和包装入库等。各道工序换换相扣,每道工序的工艺和质控都直接影响到产品最终质量。
组件质量将直接影响其户外使用寿命,目前组件的质量问题主要集中在组件封装工艺问题上,例如由于层压机层压温度、压力、时间等控制不当,而引起组件气泡现象。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种多晶硅太阳能组件的生产方法,采用层压封装工艺,通过对各道工序的严格把控,以及通过对层压温度、压力、时间等参数的合理设置,能有效避免层压气泡现象的发生。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种多晶硅太阳能组件的生产方法,包括如下步骤:
1)电池分选:使用电池测试设备选取电流和电压相同的多晶硅电池片;
2)单焊:将汇流带焊接到多晶硅电池片正面的主栅线上,所述汇流带的长度为电池边长的2倍;
3)串焊:将单片焊接好的多晶硅电池片的正面电极焊接到相邻多晶硅电池片的背面电极上,依次将若干片单焊好的多晶硅电池片串接在一起形成一个多晶硅电池串,并在所述多晶硅电池串的正负极焊接出引线;
4)叠层:将第一钢化玻璃、第一EVA胶膜、多晶硅电池串、第二EVA胶膜和第二钢化玻璃自上而下依次层叠在一起构成多晶硅电池组件,准备层压;
5)组件层压:将多晶硅电池组件放入层压机内层压,控制层压温度为150-180℃,压强为0.1MPa,压合时间为5-10min,冷却后取出多晶硅电池组件;
6)装框:给层压好的多晶硅电池组件安装铝合金边框,并在边框与电池组件的缝隙中用有机硅胶填充;
7)粘结接线盒:在多晶硅电池组件背面引出线处粘结接线盒,以利于组件与其他设备的连接;
8)组件测试:对多晶硅电池组件的输出功率进行标定,测试其输出特性,确定多晶硅电池组件的质量等级。
在本发明一个较佳实施例中,所述步骤2)中,所述汇流带采用电镀锡铜合金包钢线。
在本发明一个较佳实施例中,所述步骤4)中,所述第一钢化玻璃的上表面压合有至少一层增透膜。
在本发明一个较佳实施例中,所述增透膜为二氧化硅薄膜。
本发明的有益效果是:本发明采用层压工艺对第一钢化玻璃、第一EVA胶膜、多晶硅电池串、第二EVA胶膜和第二钢化玻璃进行封装,设置合理的层压温度、压力和时间,不会出现组件气泡现象,组件质量高。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明实施例包括:
一种多晶硅太阳能组件的生产方法,包括如下步骤:
1)电池分选:使用电池测试设备选取电流和电压相同的多晶硅电池片;
2)单焊:将汇流带焊接到多晶硅电池片正面的主栅线上,所述汇流带的长度为电池边长的2倍;
3)串焊:将单片焊接好的多晶硅电池片的正面电极焊接到相邻多晶硅电池片的背面电极上,依次将若干片单焊好的多晶硅电池片串接在一起形成一个多晶硅电池串,并在所述多晶硅电池串的正负极焊接出引线;
4)叠层:将第一钢化玻璃、第一EVA胶膜、多晶硅电池串、第二EVA胶膜和第二钢化玻璃自上而下依次层叠在一起构成多晶硅电池组件,准备层压;
5)组件层压:将多晶硅电池组件放入层压机内层压,控制层压温度为150-180℃,压强为0.1MPa,压合时间为5-10min,冷却后取出多晶硅电池组件;
6)装框:给层压好的多晶硅电池组件安装铝合金边框,并在边框与电池组件的缝隙中用有机硅胶填充;
7)粘结接线盒:在多晶硅电池组件背面引出线处粘结接线盒,以利于组件与其他设备的连接;
8)组件测试:对多晶硅电池组件的输出功率进行标定,测试其输出特性,确定多晶硅电池组件的质量等级。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的