[发明专利]一种集成自适应基准缓冲器的低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201410809450.5 申请日: 2014-12-23
公开(公告)号: CN104460807A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 郑文锋;李晓璐;刘珊;杨波;郝志莉;刘昶;林鹏 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 自适应 基准 缓冲器 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种自适应基准缓冲器,其特征在于,包括:

一恒定偏置电压生成电路,包括PMOS管MP9、NMOS管MN7、NMOS管MN8;

PMOS管MP9的漏极、PMOS管MP9的栅极、NMOS管MN8的漏极相连,接PMOS管的恒定偏置电压VBP,PMOS管MP9的源极接电源电压VDD;

NMOS管MN7的栅极、NMOS管MN的漏极、NMOS管MN8的栅极与外部恒定电流源IB相连,用于产生NMOS管的恒定偏置电压VBN;NMOS管MN7和MN8的源极均接地;

一控制电压生成电路,包括PMOS管MP5、PMOS管MP6和NMOS管MN4;

外部的基准电压源VREF与PMOS管MP5的漏极和PMOS管MP6的源极相连接,PMOS管MP5的栅极连接PMOS管的恒定偏置电压VBP,PMOS管MP5的源极接电源电压VDD;

PMOS管MP6的栅极、PMOS管MP6的源极和NMOS管MN4的漏极相连接;

NMOS管MN4的栅极接NMOS管的恒定偏置电压VBN,NMOS管MN4的源极接地;

一精确电压跟随器,包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4和NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3;

PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP4的源极均连接电源电压VDD,PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP4的栅极均连接PMOS管的恒定偏置电压VBP,PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP2的栅极和NMOS管MN1的漏极相连接;

PMOS管MP2的漏极、PMOS管MP3的源极相连,接缓冲输出基准电压~VREF;

PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN1源极和NMOS管MN2的漏极相连,接入到自适应基准控制电路的NMOS管MN6漏极;PMOS管MP3的栅极、NMOS管MN3的源极相连,接控制电压生成电路的PMOS管MP6的栅极;

PMOS管MP4的漏极、NMOS管MN3的栅极、NMOS管MN3的漏极和NMOS管MN1的栅极均相连接;

NMOS管MN2的栅极接NMOS管的恒定偏置电压VBN,NMOS管MN2的源源极接地;

一自适应偏置电压生成器,包括PMOS管MP7、PMOS管MP8和NMOS管MN5;

PMOS管MP7的栅极连接调整管栅极电压VG,PMOS管MP7的源极接电源电压VDD,PMOS管MP7的漏极接PMOS管MP8的源极;

PMOS管MP8的栅极接控制电压生成电路的PMOS管MP6的栅极,即控制电压生成电路的输出电压,PMOS管MP8的漏极、NMOS管MN5的漏极、NMOS管MN5的栅极、NMOS管MN6的栅均相连,接入到NMOS管的自适应偏置电压VBNA;

NMOS管MN5的源极接地;

一自适应基准控制器,包括NMOS管MN6;

NMOS管MN6的源极接地;NMOS管MN6的漏极接精确电压跟随器的NMOS管MN2的漏极,NMOS管MN6的栅极接入到NMOS管的自适应偏置电压VBNA;通过NMOS管MN6动态增加缓冲器偏置电流,自动调节缓冲基准电压值。

2.一种集成权利要求1所述的自适应基准缓冲器的低压差线性稳压器,其特征在于,包括:运算放大器和调整管;

所述的运算放大器包括PMOS管MP11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、PMOS管MP14、PMOS管MP17、PMOS管MP18和NMOS管MN11、NMOS管MN12、NMOS管MN13、NMOS管MN14、NMOS管MN15、NMOS管MN16、NMOS管MN17、NMOS管MN18;

PMOS管MP11的栅极、PMOS管MP11的漏极、PMOS管MP13的漏极、NMOS管MN11漏极、NMOS管MN13漏极均相连接,PMOS管MP11的源极和PMOS管MP14的源极接调整管MP的漏极,作为低压差线性稳压器的输出VOUT;

PMOS管MP12的源极和PMOS管MP13的源极相连,接缓冲输出基准电压~VREF,PMOS管MP12的栅极、PMOS管MP12的漏极、PMOS管MP14的栅极、NMOS管MN12漏极、NMOS管MN14漏极均相连接;

PMOS管MP13的漏极、NMOS管MN15的栅极、NMOS管MN15的漏极、NMOS管MN18的栅极均相连,接运算放大器输出级NMOS管栅极电压VN;

PMOS管MP14的漏极、NMOS管MN16的栅极、NMOS管MN16的漏极、和NMOS管MN17的栅极均相连接;

PMOS管MP17、PMOS管MP18、调整管MP的源极均连接外部电源电压VD;

PMOS管MP17的栅极、PMOS管MP17的漏极、PMOS管MP18的栅极和NMOS管MN17的漏极相连,接运算放大器输出级PMOS管栅极电压VP;

PMOS管MP18的漏极、NMOS管MN18的漏极、调整管MP的栅极均相连接;

NMOS管MN11、NMOS管MN12、NMOS管MN13、NMOS管MN14、NMOS管MN15、NMOS管MN16、NMOS管MN17、NMOS管MN18的源极均连接到地;

NMOS管MN11、NMOS管MN12的栅极均连接NMOS管的偏置电压VBN;

NMOS管MN13和NMOS管MN14的栅极均连接NMOS管自适应偏置电压VBNA;

在运算放大器的外部,反向输入端连接缓冲输出基准电压VREF,同相输入端连接低压差线性稳压器的输出VOUT,输出端连接调整管的栅极;调整管的源极连接外部电源电压VDD,调整管的漏极作为低压差线性稳压器的输出端。

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