[发明专利]一种复合阻变存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410810234.2 | 申请日： | 2014-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN105762276A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王丽丽 | 申请（专利权）人： | 天津市龙旺诚数码喷绘有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300304 天津市东丽区华*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种复合阻变存储器件，其特征在于：包括ITO导电玻璃、第一聚合物层、第二聚合物层，所述的第一聚合物层和第二聚合物层之间设有纳米ZnXO1-X层，所述的第一聚合物层设置在ITO导电玻璃上，所述的第二聚合物层上设有电极，所述的电极与纳米ZnXO1-X绝缘形成。
2.根据权利要求1所述的复合阻变存储器件，其特征在于：所述的聚合物层为PVP聚合物层。
3.一种复合阻变存储器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)用ITO导电玻璃作为复合阻变存储器件的基底，将ITO玻璃在酸溶液下腐蚀，然后依次用清洗剂、去离子水、丙酮和异丙醇溶液在超声清洗机中清洗；
(2)用匀胶机依次在ITO导电玻璃上旋涂PVP-甲醇溶液、纳米ZnXO1-X甲醇溶液、PVP-甲醇溶液，并干燥，匀胶机转速分别为2000rpm、400rpm、2000rpm；
(3)通过热蒸发法在第二聚合物层上形成铝电极，该铝电极厚度为150-300nm。
4.根据权利要求3所述的复合阻变存储器件的制备方法，其特征在于：所述的聚合物层为PVP聚合物层。
5.根据权利要求3所述的复合阻变存储器件的制备方法，其特征在于：所述的ZnXO1-X厚度为5-15nm。
6.根据权利要求3所述的复合阻变存储器件的制备方法，其特征在于：所述的ZnXO1-X的制备方法如下：
(a)将3g氯化锌溶于100ml乙醇中，混合后，转移到恒温800℃的水浴锅中水浴搅拌；
(b)称取1g氢氧化钠溶于100ml乙醇中，并将其滴加至氯化锌-乙醇的混合溶液中，反应3h；
(c)将所得到的的产物离心、分离、洗涤，得到白色膏状物。
7.根据权利要求6所述的复合阻变存储器件的制备方法，其特征在于：所述的滴加速率为25滴/min。
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