[发明专利]一种硅块的少子寿命检测方法

说明书

本发明公开了一种少子寿命检测方法，包括：将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。

技术领域

本发明涉及硅锭质量检测技术领域，更具体的说，涉及一种硅块的少子寿命检测方法。

背景技术

目前，铸造多晶硅锭的检测中，硅锭切割后的硅块少子检测是很重要的环节，少子的寿命大小通常表征了硅块的电学性能，少子的寿命低的硅块切割成硅片后，制作的太阳能电池的转换效率较低，难以满足电能转换标准。

太阳能电池所用的电池片是在铸锭炉中制备的硅锭制备而成。在进行少子寿命检测时，首先根据所需制备的电池片的尺寸将所述硅锭进行切割形成多个体积较小的硅块，然后对各个硅块进行少子寿命检测。

现有技术进行少子寿命检测时，检测过程复杂，工作效率低。如何提高少子寿命检测的工作效率使得当前亟待解决的一个问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种硅块的少子寿命检测方法，提高了少子寿命检测的工作效率。

为实现上述目的，本申请实施例提供了一种硅块的少子寿命检测方法，该少子寿命检测方法包括：

将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；

定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；

对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第二类硅块、位于所述阵列第四行的第二类硅块以及位于所述阵列第四列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三列相对。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：