[发明专利]一种辅助提升太阳能利用效率的装置在审
申请号: | 201410811321.X | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN105789370A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 叶磊 | 申请(专利权)人: | 厦门兰智科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H02S40/40 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 廖吉保 |
地址: | 361000 福建省厦门市思明*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辅助 提升 太阳能 利用 效率 装置 | ||
1.一种辅助提升太阳能利用效率的装置,其特征在于:包括太 阳能电池板及至少一层热电转换装置;太阳能电池板正面吸收太阳光, 背面设置热电转换装置;热电转换装置由绝缘导热介质及半导体电臂 组成,半导体电臂置于绝缘导热介质之间,半导体电臂至少设置一段 故意非均匀掺杂段,形成不均匀的半导体属性分布;其中一绝缘导热 介质与太阳能电池板背面形成热连接作为绝缘热源介质,而另一绝缘 导热介质作为绝缘散热介质;热电转换装置与太阳能电池板串联叠加 为一个整体对外输出电功率,或者单独对外输出电功率。
2.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:热电转换装置设置为两层及两层以上,第一层热电转换 装置的绝缘热源介质与太阳能电池板背面贴合进行热连接;前一层的 绝缘散热介质与后一层的绝缘热源介质共用或贴合进行热连接,各层 热电转换装置之间以此规律进行热连接,前一层热电转换装置吸热发 电过程中释放的全部或部分热功率作为后一层热电转换装置的热源; 各层热电转换装置进行电连接。
3.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:每一层热电转换装置至少包含一个半导体电臂,所有或 至少部分半导体电臂的中间部位,沿输出电流矢量方向整段或划分为 多段之后的每一段或部分段,实施故意非均匀掺杂,掺杂浓度从一端 至另一端为单调变化,具备单调变化的半导体属性分布状态;每一个 半导体电臂在该非均匀掺杂方向的前后两端部设置为均匀掺杂段作 为电连接部,与其它半导体电臂或外部电路进行电连接;同一层内的 半导体电臂之间形成电连接。
4.如权利要求3所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:同一层热电转换装置中设置的两个及两个以上半导体电 臂之间为串联的电连接。
5.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:太阳能电池板设置为两个及两个以上,各太阳能电池板 背面叠合的各层相互贴合的热电转换装置之间实现相互串联的电连 接,然后各个太阳能电池板的热电转换装置之间再进行电连接;或者 一部分太阳能电池板各对应层的热电转换装置之间进行电连接,最终 各层单独输出,或者再各层串联统一输出。
6.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:任意相互层叠的两层热电转换装置之间,宏观转换电流 矢量的方向相反;任意相邻两层热电转换装置的其中任意一层的半导 体电臂的非均匀掺杂段的半导体属性,沿某一方向具备从P-到P+, 或从N+到N-,或从N到P的分布特征;则相邻另一层热电转换装置 的半导体电臂非均匀掺杂段的半导体属性分布特征,沿同样方向是相 反的,从P+到P-,或者从N-到N+,或从P到N。
7.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:同一太阳能电池板背面叠合的多层热电转换装置的半导 体电臂,具备相同的杂质浓度分布状态;或者实施差异化的杂质浓度 分布状态,最靠近太阳能电池板背面的一层热电转换装置的半导体电 臂,沿电流方向的掺杂浓度变化斜率最大,较远的后一层热电转换装 置的半导体电臂,沿电流方向的掺杂浓度变化斜率较小,以此类推, 最远一层的半导体电臂掺杂浓度变化的斜率最小。
8.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:绝缘导热介质与半导体电臂的接触面,以及绝缘导热介 质与半导体电臂之间的连接导体的接触面为平直面,或者为锯齿状, 或者为梳妆。
9.如权利要求8所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:绝缘导热介质与半导体电臂的接触面,以及绝缘导热介 质与半导体电臂之间的连接导体的接触面设置为锯齿状或梳妆结构, 锯齿状或梳妆结构的接触面平行于转换电流方向;沿垂直于电流方向 的任意一个刨切面,接触面与该刨切面的交接线,与太阳能电池板与 该刨切面交接线平行。
10.如权利要求1所述的一种辅助提升太阳能利用效率的装置, 其特征在于:同一层热电转换装置内部的半导体电臂之间采用其它半 导体或导体材料,作为相互电连接的中继物体;沿转换电流矢量正方 向,所有或至少部分前、后所连接半导体电臂端部的半导体属性分别 是P+和P-,或分别是N-和N+,或分别是P和N的中继物体,与该 层的绝缘散热介质接触,形成热连接;沿同样方向,所有或至少部分 前、后所连接半导体电臂端部的半导体属性分别是P-和P+,或分别 是N+-和N-,或分别是N和P的中继物体,与该层的绝缘热源介质 接触,形成热连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的