[发明专利]稳压二极管及其加工工艺在审

申请号：	201410812041.0	申请日：	2014-12-22
公开（公告）号：	CN104659110A	公开（公告）日：	2015-05-27
发明（设计）人：	张淑云	申请（专利权）人：	天津天物金佰微电子有限公司
主分类号：	H01L29/861	分类号：	H01L29/861;H01L21/329;H01L21/28;H01L21/56
代理公司：	天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211	代理人：	韩敏
地址：	300385 天津市西青***	国省代码：	天津;12
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	稳压二极管及其加工工艺
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种稳压二极管，其特征在于:包括由下到上依次顺序设置的背面银电极层、衬底N+、外延层N和薄外延层N-，所述薄外延层N-的中部及所述外延层N的中部靠近上表面的部分扩散有稳压井，所述稳压井外侧的薄外延层N-上方设有氧化层，所述氧化层上方及所述氧化层内侧的稳压井上方的一部分设有钝化层，钝化层包括由下到上依次设置的二氧化硅、磷硅玻璃和氮化硅，磷硅玻璃厚度为3000埃，掺磷2％，由薄外延层N-上未被钝化层覆盖的部分向上一直扩展到氧化层上方的钝化层的一部分上设有正面银台电极。

2.制作如权利要求1所述的稳压二极管的加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：

(1)清洗；

(2)一次氧化制作出氧化层；

(3)一次光刻形成稳压井表面窗口；

(4)一次硼注入形成稳压结预扩散；

(5)稳压结硼扩散形成稳压井；

(6)采用PECVD工艺生成钝化层；

(7)二次光刻形成银台电极接触窗口；

(8)进行正面蒸发；

(9)用高粘度光刻胶对银台电极接触窗口进行第三次光刻；

(10)电镀形成银台电极；

(11)对硅片背面N+进行减薄处理；