[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410812116.5 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105789368B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;贾云丛;袁烽;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/115 | 分类号： | H01L31/115;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括半导体X线探测器的像素单元，其特征在于包括：
硅基二极管阵列基板和读出电路阵列基板，其通过铟焊料球键合连接；
所述读出电路阵列基板上形成有读出电路，第一钝化层以及第一UBM；
所述硅基二极管阵列基板上形成有背面N+接触层，正面P+层，其中，所述背面N+接触层与所述正面P+层之间的所述硅基二极管阵列基板部分为本征层，从而形成了硅基PIN二极管；
硅基二极管阵列基板的正面P+层之上还形成有氧化层，PIN接触层，第二钝化层以及第二UBM；
其中，所述第二UNM包括与所述PIN接触层直接接触的位于所述第二钝化层之中的铟过孔；
所述PIN接触层包括上下两部分：与所述铟过孔直接接触的PIN接触层基座以及与所述正面P+层直接接触的PIN接触层过孔；
所述PIN接触层过孔位于所述像素单元的侧边，其与所述铟过孔不位于同一区域，并无交叠。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔位于所述氧化层之中。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔的图形为条状矩形。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔具有一个或者多个条状矩形，位于所述像素单元的一个或者多个侧边。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔的图形为矩形环，其围绕所述铟过孔。
6.一种半导体器件制造方法，用于制造半导体X线探测器的像素单元，其特征在于包括：
提供读出电路阵列基板和硅基二极管阵列基板；
在所述读出电路阵列基板形成读出电路；
然后在所述读出电路之上形成第一钝化层以及第一UBM；
在所述硅基二极管阵列基板的背面形成背面N+层，在所述硅基二极管阵列基板的正面形成正面P+层；
在所述正面P+层之上形成氧化层，PIN接触层，第二钝化层以及第二UBM；
通过铟焊料球将所述读出电路阵列基板和所述硅基二极管阵列基板键合连接，从而形成半导体X线探测器像素单元；
其中，所述第二UNM包括与所述PIN接触层直接接触的位于所述第二钝化层之中的铟过孔；
所述PIN接触层包括上下两部分：与所述铟过孔直接接触的PIN接触层基座以及与所述正面P+层直接接触的PIN接触层过孔；
所述PIN接触层过孔位于所述像素单元的侧边，其与所述铟过孔不位于同一区域，并无交叠。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述PIN接触层过孔形成于所述氧化层之中。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔的图形为条状矩形。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔形成为一个或者多个条状矩形，位于所述像素单元的一个或者多个侧边。
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述PIN接触层过孔的图形为矩形环，其围绕所述铟过孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
