[发明专利]一种不规则晶圆的减薄方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其是一种对由于外因导致碎裂或者试验等因素进行分割而形成的不规则晶圆进行减薄的方法。

背景技术

晶圆经过前道制造工艺已具备相当的价值，由于晶圆本身材料的脆性特点，其在运输、传递及工艺过程中都有可能产生碎裂的风险；另外，由于试验等因素，完整的晶圆通常都会被分割成几个独立的小块。对于上述原因而形成的不规则晶圆通常无法进行减薄。

因为现在半导体生产线上的减薄设备多为全自动减薄系统，提供的是完整的晶圆的减薄方案。减薄设备都配置有工作台盘吸附真空度感应装置，进行减薄前，设备会自动检测工作台盘吸附晶圆的真空度是否满足减薄要求，而完整的晶圆其外缘尺寸正好与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合，当真空度达到设备允许值（即减薄设备在减薄过程中不会发生因真空度异常导致晶圆从工作台盘掉落的情况）后，设备才能开始进行减薄。

由于以上原因，对于已碎裂或者本身已经是单独小块的晶圆，目前没有较好的处理手段来继续对其进行减薄，因为碎裂或者单独小块的晶圆已不具有完整性，此类不规则的晶圆无法与减薄设备的工作台盘真空带相吻合，减薄设备无法对其进行正常吸附，减薄过程无法继续进行。

有些生产厂采用透明胶带粘贴的方式，将不规则晶圆贴于减薄设备工作台盘上面后继续进行减薄。由于减薄过程中有大量冷却水、切削水会对其不断地进行冲刷，透明胶带固定的方式被水冲刷后将完全没有牢固度，会导致减薄过程发生异常，甚至有可能损坏设备。

所以一旦生产线上发生有硅圆片裂片甚至碎片的异常状况，权衡利弊，不规则晶圆通常都作报废处理。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种不规则晶圆的减薄方法，从不规则晶圆的“不完整性”着手，通过一种处理手段使其完整后再进行减薄，可以解决不规则晶圆无法与减薄设备工作台盘真空带吻合的问题，令不规则晶圆可以有效地被减薄设备的工作台盘吸附住，达到可以对其进行减薄的目的。本发明采用的技术方案是：

一种不规则晶圆的减薄方法，包括下述步骤：

步骤一，设定减薄设备减薄目标厚度；

步骤二，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸；

步骤三，提供一片外形完整的陪片，陪片外缘尺寸与减薄设备的工作台盘的环形真空带相吻合；在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记；陪片上需要切割的尺寸至少大于不规则晶圆的外形尺寸，便于不规则晶圆放入陪片切割后形成的空缺区域；

步骤四，对步骤三中已作标记的陪片沿标记位置进行切割；

步骤五，将步骤四中已切割陪片的中间部分取走，使其中间部位形成一个空缺区域；

步骤六，将需减薄的不规则晶圆放置于步骤五中陪片形成的空缺区域，然后使用减薄膜粘贴在不规则晶圆和陪片正面，使得两者成为一个整体；

步骤七，将步骤六形成的整体放置于减薄设备的工作台盘上并采用真空吸附的方式将其吸附住；

步骤八，按所需减薄目标厚度对步骤七所述的已吸附在减薄设备工作台盘上的整体进行减薄。

进一步地，

步骤一中，设定的减薄设备减薄目标厚度=不规则晶圆减薄目标厚度+减薄膜厚度。

步骤二中，测量并记录需要减薄的不规则晶圆的外形尺寸的具体步骤为：将不规则晶圆的不规则形状最长方向定义为X方向，尺寸记为L，将与X方向垂直的方向，定义为Y方向，尺寸记为W。

步骤三中，在陪片上确定需要切割的具体尺寸，并对所需切割的尺寸进行标记，具体步骤为：

（3-1），定义陪片的任意方向为X方向，刻画其长度，标记为L’， L’≥L；

（3-2），对于陪片X方向垂直的Y方法，刻画其长度，标记为W’， W’≥W。

步骤四中对步骤三中已作标记的陪片按确定的X、Y方向及其对应的L’、W’尺寸进行切割。

步骤五中形成的空缺区域为矩形空缺区域，矩形尺寸X方向长度为L’、Y方向长度为W’。

本发明的优点在于：本发明利用“合二为一”的思路，利用陪片进行减薄，是一种全新的减薄思路；本发明在不增加多余成本的情况下，解决了不规则晶圆无法减薄的问题，利用本发明所述的减薄方法，使原本只能报废的不规则晶圆可以继续被使用，可较大程度地节约成本；本发明所述的减薄方法减薄风险极低，减薄一致性好，可靠性高。

附图说明

图1为本发明的不规则晶圆放入陪片空缺区域的示意图。

图2为本发明的方法流程图。

具体实施方式