[发明专利]具有半绝缘场板的功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件，包括：形成在半导体衬底的第一衬底表面上的第一金属电极和第二金属电极、将所述第一金属电极和所述第二金属电极进行互连的半绝缘场板、以及在所述第一金属电极和所述第二金属电极之间以及在所述场板和所述半导体衬底之间延伸的绝缘氧化层，其中所述半绝缘场板为氮化钛(TiN)场板。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其中，所述第一金属电极连接至具有第一导电类型的半导体区，并且所述第二金属电极连接至具有所述第一导电类型或第二导电类型的半导体区。

3.如权利要求1或2所述的功率半导体器件，还包括在所述半导体衬底的远离所述第一衬底表面的第二衬底表面上形成的第三金属电极，其中所述第三金属电极连接至具有第二导电类型的半导体区。

4.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述氮化钛(TiN)场板为氮化钛(TiN)淀积层，其覆盖所述第一电极、所述第二电极、以及所述氧化层中对所述第一电极和所述第二电极的接触通道以外的其余部分。

5.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述接触通道包括第一焊接线和第二焊接线，所述第一焊接线从所述第一电极延伸并且突出穿过所述氮化钛(TiN)场板以实现对所述第一电极的外部连接，而所述第二焊接线从所述第二电极延伸并且突出穿过所述氮化钛(TiN)场板以实现对所述第二电极的外部连接。

6.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述接触通道为由钝化层掩膜限定的接触图案。

7.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述氮化钛场板的厚度为10nm或更小。

8.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，通过等离子体增强化学气相淀积形成所述氮化钛场板。

9.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述半导体器件为MOSFET，所述MOSFET的源极为所述第一金属电极而其外部金属电极为所述第二金属电极。

10.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述半导体器件为横向双扩散MOSFET(LDMOS)，所述横向双扩散MOSFET的源极为所述第一金属电极，而其漏极为所述第二金属电极。

11.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述半导体器件为双极结型晶体管(BJT)，所述双极结型晶体管的基极为所述第一金属电极，而其外部金属电极为所述第二金属电极。

12.如前述权利要求中的任一项所述的功率半导体器件，其中，所述半导体器件为LDMOS、LIGBT、垂直型功率MOSFET、功率BJT、IGBT、或晶闸管。