[发明专利]有机发光显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201410814877.4 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN105789244B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 朴重根;李暎学 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示面板,包括:
在包括存储电容器区域和薄膜晶体管区域的多个像素区中,布置在存储电容器区域并通过第一接触孔电连接到驱动电源线的遮光层;
布置在遮光层上的氧化物半导体,与遮光层绝缘并布置在存储电容器区域和薄膜晶体管区域中;
布置在氧化物半导体上的栅极,与氧化物半导体绝缘,并布置在存储电容器区域和薄膜晶体管区域中;和
与存储电容器区域的栅极绝缘的源/漏电极,通过第二接触孔电连接到形成在薄膜晶体管区域中的氧化物半导体,
其中形成于存储电容器区域中的氧化物半导体不具有导电性,并且被施加至遮光层的驱动功率偏置以用作第二 存储电容器的电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中形成在薄膜晶体管区域中的氧化物半导体的一部分具有导电性。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中当向遮光层施加驱动功率时,所述第二 存储电容器形成在存储电容器区域中形成的氧化物半导体与存储电容器区域中形成的栅极之间。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示面板,其中第一 存储电容器形成在存储电容器区域中形成的栅极与源/漏电极之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中氧化物半导体、栅极和源/漏电极与存储电容器区域重叠。
6.一种制造显示面板的方法,包括:
在基板上形成遮光层;
在遮光层上形成缓冲层之后,形成第一氧化物半导体和第二氧化物半导体;
形成与第一氧化物半导体的一部分和整体第二氧化物半导体重叠的栅绝缘层和栅极;
执行蚀刻以使所述第一氧化物半导体的一部分具有导电性;
在遮光层中形成第一接触孔,并在第一氧化物半导体中形成第二接触孔;
形成通过第一接触孔连接到遮光层的驱动电源线;和
形成通过第二接触孔连接到第一氧化物半导体的源/漏电极,
其中第二氧化物半导体不具有导电性,并且被施加至遮光层的驱动功率偏置以用作存储电容器的电极。
7.根据权利要求6所述的方法,其中用相同的材料以及使用一个掩模形成驱动电源线和源/漏电极。
8.根据权利要求6所述的方法,其中形成第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包括:
在薄膜晶体管区域中形成第一氧化物半导体;
在存储电容器区域中形成第二氧化物半导体;和
连接第一氧化物半导体与第二氧化物半导体。
9.根据权利要求6所述的方法,其中形成源/漏电极包括在存储电容器区域中形成与栅极重叠的源/漏电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的