[发明专利]一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构在审
| 申请号： | 201410816032.9 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104466679A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李占国;尤明慧;乔忠良;王勇;高欣;刘国军;曲轶;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 通信 波段 密度 位置 可控 三维 inassb 量子 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构包括：n型GaAs图形衬底(1)；AlGaAs超晶格层(2)；InAsSb量子点(3) ；GaSb覆盖层(4)；
衬底(1)为(111) B取向、Si掺杂浓度1-2×1018cm-3的GaAs晶体材料；
AlGaAs/GaAs层(2)，生长温度540℃，非故意掺杂，浓度为5×017cm-3，AlGaAs生长50nm，GaAs生长30nm，共生长10个周期；
InAsSb量子点(3)，生长温度540℃，采用p型掺杂，浓度为7×1017cm-3；
覆盖层约为50nm的非均匀厚度的GaAs层(4)，生长温度540℃，非故意掺杂。
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