[发明专利]带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备在审
申请号: | 201410816270.X | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104498903A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 丁波;李轶;陈瀚;侯金松 | 申请(专利权)人: | 上海微世半导体有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/44 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 201413 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氯化氢 清洗 功能 低压 化学 沉积 设备 | ||
1.一种带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,包括化学沉积辅助装置及沉积装置,所述化学沉积辅助装置包括化学沉积气源、化学沉积气源通气管路及进气控制装置,所述进气控制装置设置在所述化学沉积气源通气管路上用于控制化学沉积气体的进气及流量,其特征在于:还包括一氯化氢清洗装置,所述氯化氢清洗装置包括用于清洗的氯化氢特气源、氯化氢通气管路及控制阀装置,所述控制阀装置设置在所述氯化氢通气管路上用于控制氯化氢气体的进气及流量;所述氯化氢通气管路的一端与氯化氢特气源相连,所述氯化氢通气管路的另一端与设置在所述进气控制装置前端的化学沉积气源通气管路相连接。
2.如权利要求1所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述控制阀装置为依次设置的手动阀和MFC。
3.如权利要求1所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述控制阀装置为依次设置的电磁阀和MFC。
4.如权利要求1所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述控制阀装置为依次设置的手动阀、电磁阀和MFC。
5.如权利要求1所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述氯化氢通气管路与设置在所述进气控制装置前端的化学沉积气源通气管路连通处设置有电磁阀。
6.如权利要求1所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:在所述进气控制装置与沉积装置相连接的管路靠近沉积装置一端设置有电磁阀。
7.如权利要求1所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述进气控制装置包括减压阀、手动阀、电磁阀及MFC。
8.如权利要求1-7中任一项所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述氯化氢气体经过所述氯化氢清洗装置后依次通过化学沉积气源通气管路、进气控制装置及所述沉积装置。
9.如权利要求1-7中任一项所述的带氯化氢清洗功能的低压化学气相沉积设备,其特征在于:所述用于清洗的氯化氢气体纯净度为电子级别。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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