[发明专利]显示装置

说明书

公开了一种显示装置，该显示装置可以包括：基板，该基板被划分为显示区域和该显示区域以外的非显示区域；第一光屏蔽膜，该第一光屏蔽膜形成在所述显示区域中；第二光屏蔽膜，该第二光屏蔽膜形成在所述非显示区域中；以及氧化物薄膜晶体管和有机发光二极管，该氧化物薄膜晶体管和该有机发光二极管形成在所述第一光屏蔽膜上，其中，所述第一光屏蔽膜和所述第二光屏蔽膜彼此间隔开。

技术领域

本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种能够通过防止在划线工艺(scribing process)时产生的静电的流入而具有改进的可靠性的显示装置。

背景技术

近来，平板显示器(FPD)随着多媒体的发展而正变得越来越重要。因此，使用诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示器(FED)和有机发光装置(OLED)的多种显示装置。在这些显示器当中，有机发光显示器正被认为是下一代显示装置，因为有机发光显示器已展现出1ms或更少的高速响应和低功率消耗，并且具有自发光特性，在视角方面不引起问题。

利用薄膜晶体管按照无源矩阵方式和有源矩阵方式来驱动显示装置。当通过将正电极和负电极形成为彼此交叉并且根据无源矩阵方式选择线来实现驱动时，通过分别将薄膜晶体管连接至像素并且通过连接至薄膜晶体管的栅电极的电容器的电容来维持电压而实现该驱动。

能够保持薄膜晶体管的寿命和电可靠性的耐久性以及薄膜晶体管的基本特征(诸如移动性和泄漏电流)对于薄膜晶体管来说是重要的。这里，薄膜晶体管的有源层主要由非晶硅或多晶硅形成。非晶硅的优点在于膜形成工艺简单并且生产成本低，但是缺点在于不能够确保电可靠性。另外，多晶硅的缺点在于由于不能够确保根据结晶方式的高工艺温度和均匀性而非常难以实现大面积应用。

此外，在有源层由氧化物形成的情况下，即使在低温度下形成膜也能够获得高移动性，并且能够容易地获得期望的物理特性，因为电阻方面的改变根据氧化物的含量是较大的。因此，氧化物近来在应用于薄膜晶体管时受到较大关注。具体地，可用在有源层中的氧化物的示例可以是氧化锌(ZnO)、铟锌氧化物(InZnO)、铟镓锌氧化物(InGaZnO₄)等。包括氧化物的有源层的薄膜晶体管是不稳定的，因为光电流是由外部光源产生的，进而需要用于为有源层屏蔽外部光的光屏蔽膜。

图1是根据现有技术的显示装置的平面图；并且图2是沿着图1的线I-I’切割的截面图。

参照图1，根据现有技术的显示装置包括多个显示面板DP，其中多个有源区域A/A形成在作为母基板的基板10上。执行划线工艺以使相应的独立面板与所形成的显示面板DP分离。根据划线工艺，通过利用划线轮沿着划线线①切割基板10并且然后沿着划线线②切割基板10来制备独立的显示面板DP。

更具体地，参照图2，光屏蔽层LS被布置在基板10上，并且缓冲层15被布置在光屏蔽层LS上。光屏蔽层LS防止光进入要稍后形成的有源层。有源层20形成在缓冲层15上，并且由布置在有源层20上的栅绝缘膜25绝缘。栅电极30形成在栅绝缘膜25上，并且由层间膜35绝缘。源电极40a和漏电极40b形成在层间绝缘膜35上，并且通过接触孔35a和35b连接至有源层20，从而构造薄膜晶体管TFT。有机绝缘膜45被布置在薄膜晶体管TFT上。像素电极50被布置在有机绝缘膜45上，并且通过通孔47连接至漏电极40b。堤层55被布置在像素电极50上，并且发光层60被布置在由堤层55暴露的像素电极50上。对电极(counter electrode)65被布置在设置有发光层60的基板20上方，并且所得到的基板利用对基板(countersubstrate)70进行密封，从而构造显示装置。

此外，如上所述，由氧化物形成的有源层20是不稳定的，因为光电流是由外部光产生的，进而光屏蔽层LS形成在基板20的整个表面上。然而，在划线工艺期间，通过划线轮切割基板20时产生的静电通过光屏蔽层LS穿透到有源区域A/A中，从而影响薄膜晶体管。因此，薄膜晶体管的电特性劣化，导致可靠性劣化。

发明内容