[发明专利]一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法

权利要求书

1.一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一

按质量比，粘接剂：SiC颗粒＝1:3-5，配取粘接剂和SiC颗粒并混合均匀，得到SiC预制体备用料；所述SiC颗粒的粒径≤160μm；

步骤二

将步骤一所得SiC预制体备用料，装入3D打印设备中，通过3D打印，得到设定形状、尺寸的SiC坯体；

步骤三

将步骤二所得SiC坯体进行低温多段烧结，得到SiC多孔预制体；所述低温多段烧结的工艺参数为：先升温至220-280℃，保温1-2h后再升温至380-420℃，保温1-2h，然后再继续升温至480-520℃，保温1-2h，随炉冷却至室温；

步骤四

对步骤三所得SiC多孔预制体进行金属熔液浸渗处理，得到成品。

2.根据权利要求1所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：步骤一中所述SiC颗粒由粒径为5～15μm的SiC颗粒、55～85μm的SiC颗粒、140～160μm的SiC颗粒按质量比，5～15μm的SiC颗粒：55～85μm的SiC颗粒：140～160μm的SiC颗粒＝1：1.5～2.5：8～10组成。

3.根据权利要求1所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：步骤一中所述粘结剂为尼龙粉末、石蜡、有机硅树脂中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：所述尼龙粉末的粒径为25-75μm。

5.根据权利要求1所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述3D打印的控制激光功率为20～200w，切片厚度为0.08mm～0.15mm，送料方式为单缸下送粉、双向铺粉方式，激光扫描速率为50-100mm/s。

6.根据权利要求1所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：步骤三中，从室温加热至220-280℃时，控制升温速率为3-5℃/min；从220-280℃升温至380-420℃时，控制升温速率为1-3℃/min；从380-420℃升温至480-520℃时，控制升温速率为1.5-2℃/min。

7.根据权利要求1所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：步骤三所得SiC多孔预制体的SiC体积分数为60％～75％。

8.根据权利要求1所述的一种含高体积分数SiC的金属基复合电子封装件的制备方法，其特征在于：步骤四中，进行金属合金熔液浸渗处理方式选自无压浸渗、气压浸渗、真空浸渗中的一种。