[发明专利]采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法

权利要求书

1.一种采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，包括：

步骤1：在基底上依次生长AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlGaN有源区、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和p型InGaN电极接触层；

步骤2：从所述p型InGaN电极接触层顶部开始向下刻蚀，刻蚀深度至n型AlGaN层内，形成发光二极管pn结脊形结构及其两侧的台面；

步骤3：在所述台面上制作n型接触电极；

步骤4：在所述脊形结构上的p型InGaN电极接触层上制作p型接触电极；

步骤5：在脊形结构及两侧台面上沉积电绝缘层，该电绝缘层覆盖n型接触电极和p型接触电极；

步骤6：在n型接触电极和p型接触电极的上方，分别形成上电极窗口区和下电极窗口区；

步骤7：在所述上电极窗口区及两侧的电绝缘层制作上电极层；

步骤8：在所述下电极窗口区上制作下电极层，完成方法的制作。

2.如权利要求1所述的采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，其中所述的基底的材料为蓝宝石、SiC、AlN或Si。

3.如权利要求1所述的采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，其中所述紫外发光二极管的波长为210nm-400nm。

4.如权利要求1所述的采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，其中所述的p型InGaN电极接触层的厚度为5nm-1000nm。

5.如权利要求1所述的采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，其中所述的绝缘层的材料为氧化硅或氮化硅，其厚度小于金属等离激元的耦合距离。

6.如权利要求1所述的采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，其中所述的下电极层的最底层金属为Al或Pt具有高体等离激元能量的金属，其等离激元能量位于紫外发光区域。

7.如权利要求1所述的采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，其中所述的电绝缘层的厚度小于下电极层最底层金属的等离激元耦合距离。