[发明专利]一种高产高粱密植栽培方法无效

专利信息
申请号: 201410817361.5 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104429565A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 周末 申请(专利权)人: 周末
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01C21/00;A01G13/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高产 高粱 密植 栽培 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种高粱的高产栽培方法,具体说是一种高产高粱密植栽培方法。

背景技术

我国是一个人口大国,而高粱是三大粮食作物之一。高粱生产在我国的农业生产,国民经济中占有十分重要的地位。发展高粱生产对增加农民收入,保障国家粮食安全乃至经济安全具有重大的现实意义。我国高粱年生产总量虽然发展很快,但高粱年生产总量不足,与我国高粱的市场需求量还有较大差距,每年都需大量进口。受我国人均农业土地资源贫乏和农业种植结构调整的影响,我国高粱播种面积已难扩大。目前我国农业生产上又缺少系统有效的高粱增产增收种植模式。因此提高高粱单位面积产量就成为非常紧迫的研究课题。

发明内容

本发明的目的在于解决现有技术中的不足,提供一种高产高粱密植栽培方法。

本发明为达到上述目的,所采用的技术手段是:

选择耐密植、矮秆、株型紧凑、活秆成熟、成熟期适宜、果穗无秃顶、抗倒伏、抗病虫害的优良杂交高粱品种。

起畦种植,畦宽120—140厘米,畦高约20厘米左右,宽窄行种植,宽行行距100~150厘米,窄行行距为40~50厘米,穴距为35~40厘米,每穴3株,将已处理好的种子每点双粒播于沟中,边播边盖土,盖土1寸并踏实,亩留苗5700~6700株。

在现有施肥基础上增加腐植酸复合肥底肥,现有底肥硫酸钾复合肥40公斤/亩,加施磷酸二胺10公斤/亩做底肥,同时施入生物菌肥1公斤/亩,注意种肥分离,肥料与种子距离8~10厘米;腐植酸复合肥深松全层一次施用施肥量为1187.5 kg/hm2在10-25cm区间;追肥:在5—6片叶时,第一次追施苗肥,每亩施尿素7.5—10公斤,于畦中间开沟条施,然后盖土,在8—9片叶时,进行第二次追肥,即施攻秆肥,这次肥量占总施肥量的25%左右,每亩施复合肥10公斤加氯化钾7.5公斤,施肥方式为条施,在14—15片叶时,进行第三次施肥,即施攻穗肥,这次肥量占总施肥量的35%左右,每亩施复合肥20公斤加氯化钾10公斤,结合大培土施用,在9片叶和15片叶时分别进行一次根外追肥,亩用50克稀土或800—1000倍磷酸二氢钾喷施。

播种后喷除草剂乙草胺、莠去津,防除苗期杂草;中耕:封垄前,与除草结合,中耕培土高度7~8cm,促进气生根发育、防止倒伏、利于排灌、掩埋杂草;喷植物生长调节剂,由于苗数增加,在高粱8~10叶期,喷施配制好的矮控密植调节剂,胺鲜脂乙烯利,亩用量40克/亩。

高粱从拔节到抽穗植株开始进入旺盛生长,需水分多,尤其抽雄前后是高粱需水的临界期,这时缺水,发育不良,雌雄花期不协调,影响授粉,造成秃顶、缺粒或空秆,所以这时期应保持土壤持水量在70—80%,雨水多的地区,要注意开沟排水,喇叭口至抽穗期是高粱螟为害的危害期,都要喷施500—800倍敌百虫或杀虫双+Bt粉混合喷施,防治高粱螟。

发明优点

腐植酸包衣处理对高粱幼苗有增高效应,促进高粱幼苗地上部生长和根系发育,使茎粗、幼苗干重、根长、根干重增加,根冠比极显著提高。同时腐植酸包衣处理也能明显降低高粱幼苗的脯氨酸和丙二醛含量,提高叶绿素和可溶性糖含量及SOD活性,同时改善生物膜的通透性。由腐植酸包衣处理所引起的高粱幼苗形态上的变化及产生的一系列生理作用,可增强高粱幼苗的抗旱力,达到抗旱保苗,为高粱后期的健康生长奠定基础。

本方法宽行行距100厘米~150厘米,比普通种植技术的行距宽50~100厘米,能够充分利用边行优势,更充分通风透光,并且出入方便,便于田间管理。

窄行行距为40~50厘米,既适用于覆膜种植,又可滴灌,既适合一家一户种植,更适合大面积推广。

每穴三株缩小了珠距,加大了穴距,增强了通风效果。同时三株在一起生长,根系盘错在一起,提高了抗倒伏能力。由于穴距为35~40厘米,根据品种特性亩留苗5700~6700株,能够大幅度提高高粱单位面积产量。

本发明方法操作简单,只要换成或改成三粒播种盘,用普通播种机即可播种。

本发明方法每亩比普通种植技术多留苗2000株左右,使高粱单位面积产量大幅增加,经多点155亩大面积实验,平均亩增产244公斤。不但能大幅增加农民收入,而且对保障国家粮食安全具有重大意义。

具体实施方式

以下将对本发明的优选实施例进行详细的描述;应当理解,优选实施例仅为了说明本发明,而不是为了限制本发明的保护范围。

实施例1

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