[发明专利]封装件结构及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201410817657.7 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN105789062B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 余振华;叶德强;陈宪伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 形成 方法
【说明书】:

本文讨论了封装件的形成方法和结构。在实施例中,方法包括形成背侧重分布结构,以及在形成背侧重分布结构之后,将第一集成电路管芯粘附至背侧重分布结构。该方法还包括用密封剂密封背侧重分布结构上的第一集成电路管芯,在密封剂上形成前侧重分布结构,以及将第二集成电路管芯电连接至第一集成电路管芯。第二集成电路管芯通过机械附接至前侧重分布结构的第一外部电连接件电连接至第一集成电路管芯。

技术领域

发明涉及封装件结构及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用,作为实例,诸如个人计算机、手机、数码相机以及其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层,以及使用光刻图案化各种材料层以在半导体衬底上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造数十个或数百个集成电路。通过沿着划线锯切集成电路分割单独的管芯。然后分别封装单独的管芯,例如,以多芯片模块或以其他的封装类型。

半导体工业通过持续减小最小部件尺寸来不断改进各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度,其允许将更多组件集成至给定区域内。在一些应用中,这些更小的电子组件(诸如集成电路管芯)可能也需要比过去的封装件利用更少的面积的更小的封装件。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种方法,包括:形成背侧重分布结构;在形成所述背侧重分布结构之后,将第一集成电路管芯粘附至所述背侧重分布结构;用密封剂密封位于所述背侧重分布结构上的第一集成电路管芯;在所述密封剂上形成前侧重分布结构;以及将第二集成电路管芯电连接至所述第一集成电路管芯,所述第二集成电路管芯通过机械附接至所述前侧重分布结构的第一外部电连接件电连接至所述第一集成电路管芯。

在上述方法中,在形成所述前侧重分布结构之后,所述第一集成电路管芯的有源侧朝向所述前侧重分布结构。

在上述方法中,还包括在所述密封之前形成通孔,其中,在所述密封之后,所述通孔延伸穿过所述密封剂。

在上述方法中,还包括在所述背侧重分布结构上形成第二外部电连接件。

在上述方法中,在将所述第二集成电路管芯电连接至所述第一集成电路管芯之后,实施所述第二外部电连接件的形成。

在上述方法中,还包括在所述第二外部电连接件周围形成环氧助焊剂。

在上述方法中,所述第二集成电路管芯位于封装件中,所述封装件通过所述第一外部电连接件机械附接至所述前侧重分布结构。

在上述方法中,所述第二集成电路管芯通过所述第一外部电连接件直接机械附接至所述前侧重分布结构。

根据本发明的另一方面,还提供了一种方法,包括:形成第一重分布结构;将第一集成电路管芯的背侧粘附至所述第一重分布结构;在所述粘附之后,用密封剂密封位于所述第一重分布结构上的第一集成电路管芯;在所述密封剂上形成第二重分布结构,所述第一集成电路管芯的有源侧朝向所述第二重分布结构;以及使用机械附接至所述第二重分布结构的第一外部电连接件,将第二集成电路管芯附接至所述第二重分布结构。

在上述方法中,还包括在所述第一重分布结构上形成第二外部电连接件。

在上述方法中,在将所述第二集成电路管芯附接至所述第二重分布结构之后,实施所述第二外部电连接件的形成。

在上述方法中,还包括在所述第二外部电连接件周围形成环氧助焊剂。

在上述方法中,所述第二集成电路管芯位于封装件中,所述封装件通过所述第一外部电连接件机械附接至所述第二重分布结构。

在上述方法中,所述第二集成电路管芯通过所述第一外部电连接件直接机械附接至所述第二重分布结构。

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