[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin-film transisitor liquid cystal display，TFT-LCD)分为多晶硅(Poly-Si)技术与非晶硅(a-Si)技术，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术是新一代薄膜晶体管液晶显示器的制造技术，与传统非晶硅显示器最大差异在于低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。

低温多晶硅的硅结晶排列较非晶硅有次序，使得电子迁移率相对高一百倍以上，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，可节省空间及驱动IC的成本。由于驱动IC线路直接制作于面板上，可以减少零件对外接点，增加可靠度、维护更简单、缩短组装制程时间及降低电磁干扰特性，可减少应用系统设计时程及扩大设计自由度。

图1所示为一种现有低温多晶硅TFT基板的结构示意图，其制作方法大致包括如下步骤：

步骤1、提供基板100，在基板100上沉积缓冲层200；

步骤2、在缓冲层200上沉积非晶硅层；

步骤3、对非晶硅层进行准分子激光退火处理，使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，

步骤4、通过黄光、蚀刻制程对多晶硅层进行图案化处理，形成间隔排列的位于显示区域的第一多晶硅段310与位于驱动区域的第二多晶硅段320；

步骤6、分别在第一多晶硅段310、第二多晶硅段320上定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并分别在N型重掺杂与N型轻掺杂区域掺杂不同剂量的P31，得到轻掺杂漏区；

步骤7、在缓冲层2、第一多晶硅段310、及第二多晶硅段320上沉积并图案化栅极绝缘层500；

步骤8、在栅极绝缘层500上对应第一多晶硅段310、第二多晶硅段320的上方分别沉积并图案化第一金属层，形成第一栅极610、及第二栅极620；

步骤9、在栅极绝缘层500上形成层间绝缘层700，并在栅极绝缘层500与层间绝缘层700上对应第一多晶硅段310、第二多晶硅段320两侧的N型重掺杂区域上方形成过孔710；

步骤10、在层间绝缘层700上沉积并图案化第二金属层，形成第一源/漏极810、及第二源/漏极820；

所述第一源/漏极810与第二源/漏极820分别经由过孔710与第一多晶硅段310、第二多晶硅段320两侧的N型重掺杂区域相接触。之后通过后续常规制程得到完整的低温多晶硅TFT基板结构。

然而低温多晶硅TFT基板中包括显示区域、及位于非显示区域的驱动区域，采用上述方法制作出的低温多晶硅TFT基板中，显示区域的均一性较差，同时驱动区域驱动电路的电子迁移率也有待提高，进而影响了低温多晶硅TFT基板的品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，能够在驱动区域形成相对较大颗粒的多晶硅晶粒，获得较大的电子迁移率，使驱动电路特性得到提高，而显示区域形成相对较小颗粒且具有较佳的均一性的多晶硅晶粒，使显示区域内TFT的电性更均一，从而提高低温多晶硅TFT基板的品质。

本发明的另一目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板结构，其位于驱动区域的多晶硅段的结晶晶粒较大，位于显示区域的多晶硅段的结晶晶粒较小但均一性较好，使得驱动电路具有良好的电特性，显示区域内TFT的电性更均一，从而使得TFT基板具有较高的品质。

为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤1、提供基板，在所述基板上沉积缓冲层；

步骤2、在所述缓冲层上沉积非晶硅层；

步骤3、在所述非晶硅层上沉积氧化硅层，并通过黄光、蚀刻制程对氧化硅层进行图案化处理，得到位于显示区域的氧化硅层；

步骤4、以所述氧化硅层作为光罩，对非晶硅层进行准分子激光退火处理，使非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，并去除所述氧化硅层；

步骤5、通过黄光、蚀刻制程对所述多晶硅层进行图案化处理，形成间隔排列的位于显示区域的第一多晶硅段与位于驱动区域的第二多晶硅段；

步骤6、分别在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段上定义出N型重掺杂和N型轻掺杂区域，并分别在N型重掺杂与N型轻掺杂区域掺杂不同剂量的P31，得到轻掺杂漏区；

步骤7、在所述缓冲层、第一多晶硅段、及第二多晶硅段上沉积并图案化栅极绝缘层；