[发明专利]固态成像元件、其制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像元件，包括：

在半导体基板上层叠的绝缘膜；

由所述绝缘膜针对每个像素分开形成的下部透明电极膜；

在所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的平面上层叠的疏水处理层；

在所述疏水处理层上层叠的有机光电转换层，所述有机光电转换层用于将光转换成电荷；和

在所述有机光电转换层上层叠的上部透明电极膜，

其中，在所述疏水处理层上形成的所述有机光电转换层的取向特性能够被控制。

2.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中

所述疏水处理层通过用硅烷化剂对所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的表面进行表面处理来形成。

3.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中

六甲基二硅氮烷被用作在用于形成所述疏水处理层的表面处理中所使用的硅烷化剂。

4.根据权利要求2所述的固态成像元件，其中

1,1,3,3-四甲基二硅氮烷、N-三甲基硅烷基二甲胺、N-二甲基硅烷基二甲胺、1-三甲基甲硅烷基吡咯、N,O-双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺和双(二甲氨基)二甲基硅烷中的一种被用作在用于形成所述疏水处理层的表面处理中所使用的硅烷化剂。

5.根据权利要求1所述的固态成像元件，其中

在所述疏水处理层与所述绝缘膜及所述下部透明电极膜之间设置无机缓冲层。

6.一种固态成像元件的制造方法，包括：

在半导体基板上层叠绝缘膜；

形成由所述绝缘膜针对每个像素分开的下部透明电极膜；

在所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的平面上层叠疏水处理层；

在所述疏水处理层上层叠有机光电转换层，所述有机光电转换层用于将光转换成电荷；和

在所述有机光电转换层上层叠上部透明电极膜，

其中，在所述疏水处理层上形成的所述有机光电转换层的取向特性能够被控制。

7.根据权利要求6所述的固态成像元件的制造方法，其中

所述疏水处理层通过用硅烷化剂对所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的表面进行表面处理来形成。

8.根据权利要求7所述的固态成像元件的制造方法，其中

六甲基二硅氮烷被用作在用于形成所述疏水处理层的表面处理中所使用的硅烷化剂。

9.根据权利要求7所述的固态成像元件的制造方法，其中

1,1,3,3-四甲基二硅氮烷、N-三甲基硅烷基二甲胺、N-二甲基硅烷基二甲胺、1-三甲基甲硅烷基吡咯、N,O-双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺和双(二甲氨基)二甲基硅烷中的一种被用作在用于形成所述疏水处理层的表面处理中所使用的硅烷化剂。

10.根据权利要求6所述的固态成像元件的制造方法，其中

在所述疏水处理层与所述绝缘膜及所述下部透明电极膜之间设置无机缓冲层。

11.一种具有固态成像元件的电子设备，包括：

在半导体基板上层叠的绝缘膜；

由所述绝缘膜针对每个像素分开形成的下部透明电极膜；

在所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的平面上层叠的疏水处理层；

在所述疏水处理层上层叠的有机光电转换层，所述有机光电转换层用于将光转换成电荷；和

在所述有机光电转换层上层叠的上部透明电极膜，

其中，在所述疏水处理层上形成的所述有机光电转换层的取向特性能够被控制。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中

所述疏水处理层通过用硅烷化剂对所述绝缘膜和所述下部透明电极膜的表面进行表面处理来形成。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其中

六甲基二硅氮烷被用作在用于形成所述疏水处理层的表面处理中所使用的硅烷化剂。