[发明专利]包括光吸收层的有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410817977.2 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN105374845B | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 林定植;赵银美;尹圣经 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 光吸收 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
包括光吸收层的有机发光显示装置及其制造方法。提供了一种显示装置,该显示装置包括:多个像素,其中多条选通线分别与多条数据线交叉,各个所述像素包括薄膜晶体管TFT区域和显示区域;TFT,其形成在所述TFT区域中;发光元件,其形成在所述显示区域中以用于基于来自所述TFT的信号显示图像;金属层,其被设置在所述TFT区域中以用于所述TFT的电连接;以及光吸收层,其被设置在所述金属层上并被配置为吸收朝着所述金属层传播的光的至少一部分。
技术领域
本发明涉及一种用于显示图像并且组合有光吸收层的有机发光显示器及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展,越来越需要各种形式的用于显示图像的显示装置,近年来,已使用诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示装置(OLED)的各种显示装置。这些各种显示装置各自包括适合于该显示装置的显示面板。
包括在这种显示装置中的显示面板可以是由一个基板制成的多个显示面板中的一个。即,根据各种处理过程,首先在一个基板中以显示面板为单位形成构成像素、信号线和电力线的元件,然后利用划线设备以显示面板为单位切割该基板,以生成多个显示面板。
从外部入射到显示装置的光被构成显示装置的元件(例如,导线)反射然后从显示装置逸出。这种向外反射的光可能与显示装置所输出的图像交叠,从而使图像的质量下降。因此,需要一种技术来减少入射光的反射。
发明内容
因此,本申请的实施方式涉及一种基本上避免了由于现有技术的局限和缺点导致的一个或更多个问题的显示装置及其制备方法。根据实施方式的一个方面,一种显示装置包括:多个像素,其中多条选通线分别与多条数据线交叉,各个所述像素包括薄膜晶体管(TFT)区域和显示区域;TFT,其形成在所述TFT区域中;发光元件,其形成在所述显示区域中以基于来自所述TFT的信号显示图像;金属层,其被设置在所述TFT区域中以用于所述TFT的电连接;以及光吸收层,其被设置在所述金属层上并被配置为吸收朝着所述金属层传播的光的至少一部分。
根据本发明的实施方式的另一方面的显示装置的制备方法包括以下步骤:在薄膜晶体管(TFT)区域中形成TFT;以及在所述显示区域中形成用于基于来自所述TFT的信号显示图像的发光元件,其中,金属层被设置在所述TFT区域中以用于所述TFT的电连接,并且其中,被配置为吸收朝着所述金属层传播的光的至少一部分的光吸收层被设置在所述金属层上。
附图说明
本发明的以上和其它目的、特征和优点将从结合附图进行的以下详细描述而变得更明显,附图中:
图1示意性地示出应用了本发明的实施方式的显示装置;
图2示出应用了本发明的显示面板的一部分;
图3示出根据本发明的实施方式的光吸收层和相位补偿层被层压在光屏蔽层上的结构,该光屏蔽层形成在基板上;
图4示出根据本发明的实施方式的光吸收层和相位补偿层被层压在栅极上的结构;
图5A至图5C示出根据本发明的实施方式的将光吸收层层压在源电极和漏电极上的工艺以及层压结构;
图6示出利用图5A至图5C的工艺沉积有相位补偿层的薄膜晶体管的结构;
图7A和图7B示出根据本发明的实施方式的在光吸收层和相位补偿层中减少外部光的反射的结构;
图8是描绘根据本发明的实施方式和现有技术的反射率与波长之间的关系的曲线图;以及
图9是示出根据本发明的实施方式的在光屏蔽层和布线区域上形成光吸收层的工艺的流程图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的