[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201410818139.7 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN104749805A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 李瑛长 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1362;G09G3/36;H01L27/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;穆云丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一基板,包括有源区域和形成在所述有源区域的外边缘中的虚拟区域,所述有源区域包括多个像素区域并且被配置为实现实际图像,所述虚拟区域包括面板中栅极电路、控制信号线、接地部和公共线,其中,所述面板中栅极电路与所述控制信号线、所述接地部和所述公共线中的至少一部分重叠,其中绝缘层介于所述面板中栅极电路与所述控制信号线、所述接地部和所述公共线中的至少一部分之间;
用于移位寄存器的薄膜晶体管,设置在所述面板中栅极电路的多个级中的每一级中;以及
用于所述移位寄存器的每个薄膜晶体管的源极接触孔和栅极接触孔,所述源极接触孔和所述栅极接触孔沿着对应的控制信号线形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,用于所述移位寄存器的每个薄膜晶体管包括:
栅极电极,通过栅极接触孔暴露并被配置为通过所述栅极接触孔接收栅极信号;
半导体层,形成在所述栅极电极上;
源极电极,形成在所述半导体层上,通过源极接触孔暴露,并且被配置为沿着所述控制信号线接收信号;以及
漏极电极,形成在所述半导体层上。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述控制信号线包括时钟信号线、使能信号线和启动信号线。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述控制信号线与所述面板中栅极电路完全重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
多条栅极线和多条数据线,形成在所述有源区域中以定义多个像素区域;
切换薄膜晶体管,形成在每个所述像素区域中;以及
钝化层,形成在所述第一基板上,其中用于所述移位寄存器的薄膜晶体管形成在所述第一基板上。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述钝化层由光固化丙烯酸类形成。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述钝化层由无机绝缘材料形成。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述钝化层包括:
无机钝化层;以及
有机钝化层,形成在所述无机钝化层上。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其中,每个切换薄膜晶体管均包括:
栅极电极,形成在所述第一基板上;
栅极绝缘层,形成在所述第一基板上并覆盖所述栅极电极;
半导体层,形成在所述栅极绝缘层上;以及
源极电极和漏极电极,形成在所述半导体层上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述接地部包括:
第一接地部,形成在所述第一基板上;以及
第二接地部,形成在所述钝化层上并通过接触孔电连接到所述第一接地部。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述公共线包括:
第一公共线,形成在所述第一基板上;以及
第二公共线,形成在所述钝化层上并通过第二接触孔电连接到所述第一公共线。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述控制信号线形成在钝化层上并通过对应的源极接触孔电连接到所述面板中栅极电路的用于所述移位寄存器的对应薄膜晶体管。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,所述GIP电路的特定级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管的源极接触孔与前一级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管相隔预定间隙。
14.根据权利要求2所述的显示装置,其中,特定级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管的栅极接触孔形成在与前一级的用于所述移位寄存器的薄膜晶体管的源极接触孔相对应的控制信号线中。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,形成有所述栅极接触孔的区域中的源极电极被去除。
16.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:
滤色器层,形成在所述钝化层上。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述控制信号线、所述第二接地部和所述第二公共线形成在所述滤色器层上。
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