[发明专利]一种应用于保护直接式发光二极管驱动器在低电压状态下运作的装置

权利要求书

1.一种应用于保护直接式发光二极管驱动器在低电压状态下运作的装置，包括：

一整流阶，将一交流输入电压转换为一直流脉冲电压；

一主要灯串，具有一上端以连接所述整流阶；

一次要灯串，连接于一低电压直接式发光二极管驱动器和一整合设置于所述低电压直接式发光二极管驱动器内部的一电流源；

一高压通道场效应晶体管(NFET)，具有一闸极、一汲极和一源极，且所述高压NFET的所述汲极连接于所述主要灯串的一下端，所述源极则连接于所述次要灯串的一上端；

一提升电阻(Pull-up resistor)，连接于所述高压NFET的所述闸极和所述主要灯串的一上端之间；及

一下落单元(avalanche unit)，具有一第一端和一第二端，且所述第一端是连接于所述高压NFET的所述闸极和所述提升电阻，而所述第二端则连接于所述低电压直接式发光二极管驱动器的所述电流源。

2.如权利要求1所述的装置，另包括一热感应组件，用于侦测所述直接式发光二极管驱动器的温度，所述直接式发光二极管驱动器根据所量测的温度调变所述主要灯串与所述次要灯串的电流值。

3.如权利要求1所述的装置，另包括一回馈模块，所述回馈模块包括：

一反转曾纳二极管(turning zener diode)，具有一阴极和一阳极，且所述阴极是连接于所述高压NFET的所述汲极；

一第一回馈电阻，连接于所述高压NFET的所述源极和所述电流源之间；及

一第二回馈电阻，连接于所述电流源。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下落单元是连接于一固定电流源，并且包括有：

一比较器；

一参考电压，连接于所述比较器的一负输入端；

一输出晶体管，连接所述高压NFET；

一通道晶体管，连接所述输出晶体管；

一电流镜，连接于所述通道晶体管和所述固定电流源之间，并且包括有一第一镜晶体管和一第二镜晶体管，所述第一镜晶体管连接于所述通道晶体管，所述第二镜晶体管连接于所述固定电流源，所述固定电流源则与所述电流源连接；及

一电阻分压器，连接于所述电流镜的一上端和所述比较器的一正输入端，用于感测所述次要灯串上端的电压。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述提升电阻是连接于所述高压NFET的所述汲极上方间隔2个LED单元处的一连接点。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述下落单元是连接于所述电流源，并包括：

一低压曾纳二极管；

一第一切换晶体管，具有一汲极、一闸极和一源极，且所述汲极连接于所述高压NFET的所述闸极和所述提升电阻的所述下端，所述闸极连接所述次要灯串的所述上端，而所述源极连接于所述低压曾纳二极管的一阴极；

一电阻分压器，连接于所述第一切换晶体管的所述闸极，并包括有相互串接的一第一电阻分压器和一第二电阻分压器，所述第一电阻分压器连接于所述第一切换晶体管的所述闸极和所述次要灯串的所述上端；及

一第二切换晶体管，具有一汲极、一闸极和一源极，且所述闸极连接于所述第一电阻分压器和所述第二电阻分压器的一交界处，所述汲极连接于所述固定电流源和所述电流源，所述源极则连接于所述低压曾纳二极管的一阳极。