[发明专利]一种大功率半导体器件的电极与硅片的焊接方法

权利要求书

1.一种无铅焊料，其特征是，成分如下：含有1重量％至3重量％的银(Ag)，0.01重量％至0.2重量％的钛(Ti)，0.01重量％至0.2重量％的镍(Ni)以及余量的锡(Sn)和不可避免的杂质元素。

2.一种大功率半导体器件的电极与硅片的焊接方法，其特征是，包括如下步骤：

步骤1，将无铅焊料设置在具有导体图案的硅片和电极之间、绝缘层和散热板之间组成焊接装置，该装置从底部到顶部，分别是散热板(11)、焊料(12)、半导体硅片(13)、焊料(14)、电极(15)；

步骤2，将放好焊料的该焊接装置放入加热设备；

步骤3，加热该焊接装置，使得所述焊料被加热到等于或高于所述焊料的熔点温度，进行焊接结合；

步骤4，将所述装置冷却至室温。

3.根据权利要求2所述的一种大功率半导体器件的电极与硅片的焊接方法，其特征是，所述焊接装置的半导体硅片是表面生成具有铝金属导体图案的半导体硅片。

4.根据权利要求2所述的一种大功率半导体器件的电极与硅片的焊接方法，其特征是，所述焊接装置的散热板为铜板。