[发明专利]一种MOS管IRF1607的开关特性测试方法在审

专利信息
申请号: 201410821367.X 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN104597386A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 郭石垒 申请(专利权)人: 余姚亿威电子科技有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
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地址: 315400 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos irf1607 开关 特性 测试 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电动汽车电源逆变领域,特别涉及IRF1607MOSFET管开关特性测试方法。

背景技术

当今,电能作为一种绿色能源,在汽车能源领域应用日益广泛。从为汽车电气系统供电,到当下作为电动汽车驱动能源,储能电源越来越重要。而电池储能需要逆变到工频交流,才能更方便地被利用。在汽车逆变领域,可采用工频模式,直接由电池直流电压逆变到工频低压交流电压,然后通过工频升压器,升压到指定交流电压。

作为低电压(75V直流电)大电流(25℃时最大电流是142A)的IRF1607MOSFET管,相对于双极性三极管,以其低功耗、大电流的优越性能,在42V汽车电气系统中作为逆变器开关管应用越来越广泛。

不过,在生产领域检验以及平时维修检测时,IRF1607通常需要借助专门的测试工具,操作复杂、不方便。

因此,发明一种快捷、可靠地检测IRF1607开关性能的方法,就显得十分必要。

发明内容

本发明所要解决的技术问题,在于降低现有的IRF1607MOSFET管开关性能测试方法的复杂度,在无需借助测量仪表的情况下,为IRF1607MOS管提供一种高效、快捷、可靠的测量方法。同时,稍加调整,该方法亦适用于其他N沟道MOS管的开关性能测试,简单、可靠、直观;并具有测试环境搭建简单、易行、成本低等优点。

为了达到测试的可行与直观,本发明采用以下技术方案:

第一步,搭建测试电路

优选地,所述的测试电路是由第一LED灯LED1、第二LED灯LED2、第一开关S1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一二极管D1构成;所述第一LED灯LED1的正极与第三电阻R3的一端、第二电阻R2的一端连接,所述第二电阻R2的另一端与第一二极管D1的负极连接,所述第一二极管D1的正极与第一开关S1的一端连接,所述第一开关S1的另一端与第二LED灯LED2的一端连接,所述第二LED灯LED2的另一端与第一电阻R1的一端连接,所述第一电阻R1的另一端接地;

第二步,在电路中接入待测IRF1607MOS管Q1

待测IRF1607MOS管Q1的漏极与第一LED灯LED1的负极连接,待测IRF1607MOS管Q1的栅极与第一二极管D1的正极连接,待测IRF1607MOS管Q1的源极与第一电阻R1的接地端连接,接法如图1所示;

第三步,测量开关的开通状态

Q1栅极加电源正极,Q1源极S接电源负极GND,接法如图2所示,若第一LED灯LED1不亮,则MOS管已损坏,若第一LED灯LED1点亮,继续第四步;

第四步,测量开关的关断状态

撤掉第三步中连接的正负电源,按下第一开关S1约3秒,在第三电阻R3与第一LED灯LED1阳极不接触的另一端连接电源正极,在待测MOS管Q1的源极连接电源负极。此时若第一LED灯LED1熄灭,证明该MOS管“关断”特性良好,同时也证明“开通”特性良好,若第一LED灯LED1仍然亮,说明MOS管已经击穿,“关断”特性不良。

与现有技术相比,本发明的突出效果是:

(1)测试环境容易搭建,成本低,开关特性,可直接通过两步骤根据LED1的点亮与否来直接判断管子开关特性好坏;

(2)测试易操作,可靠,在严格按要求检测时不会对MOS管造成损伤,且无元器件损耗,同一测试环境,可多次重复使用;

(3)第一二极管D1,有快速反向关断功能,能完全消除C电路第一LED灯LED1阳极加直流电时通过B电路对栅极影响,很好保护被测试MOS管。

(4)可做成功能测试电路,适用性广,可用于其他型号MOS管测量,只需稍微调整元器件参数。

附图说明

图1是本发明的一种接入待测IRF1607MOS管后的开关特性测量电路图;

图2是本发明的第三步接线测试图;

图3是本发明的第四步接线测试图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及其优点更加清楚明白,下面结合附图,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体图例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

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