[发明专利]抑制高频隔离型全桥电路动态偏磁的电路结构及控制方法有效
申请号: | 201410822077.7 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN104539146A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
发明(设计)人: | 毕大强;柴建云;孙旭东;赵杨阳 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抑制 高频 隔离 型全桥 电路 动态 结构 控制 方法 | ||
1.一种抑制高频隔离型全桥电路动态偏磁的电路结构,其特征在于,由交错并联BuckBoost电路、高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路组成;其中,交错并联BuckBoost电路包含电容C1和C2、电感L1和L2、开关管S1至S4、二极管D1至D4;高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路为在高频变压器T1的初级端连接接成桥式结构的自带反并二极管的开关管Sa1至Sa4,次级端连接接成桥式结构的自带反并二极管的开关管Sb1至Sb4;次级端连接的桥式结构的上下桥臂之间并联高压直流母线电容C3。
2.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述交错并联BuckBoost电路中的电容C1的一端与电感L1和L2的一端相连,电感L1的另一端与开关管S2的源极以及开关管S4的漏极相连,S4的源极与电容C2的一端相连,电感L2的另一端与开关管S1的源极以及开关管S3的漏极相连,开关管S3的源极与电容C2的一端相连,电容C1的另一端与开关管S1的漏极、开关管S2的漏极以及电容C2的另一端相连,电容C2与高频变压器T1的初级端连接的桥式结构的上下桥臂并联。
3.一种抑制高频隔离型全桥电路动态偏磁的控制方法,其特征在于,包括:
步骤1、启动高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路时采用固定2%的小占空比开环方式为高频变压器T1做磁锻炼,使其剩磁趋于零;
步骤2、连续采样高频变压器T1的电流信号并对其做时间积分,从而避免因开关周期内正反方向微小的伏秒积不平衡经时间积分效应后导致的稳态偏磁;
步骤3、当变换器电路的电流指令的变化率小于高频变压器动态偏磁阀值时,高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路工作在电流闭环状态下,而交错并联BuckBoost电路工作在50%占空比开环运行状态下,并能实现最小电流纹波输出;
步骤4、当变换器电路的电流指令的变化率大于等于高频变压器动态偏磁阀值时,高频隔离双向全桥DC/DC变换器电路维持在当前占空比下开环工作,而交错并联BuckBoost电路工作在电流快速闭环状态下,从而快速改变变换器电路的输出功率。
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