[发明专利]等离子体处理装置及等离子体刻蚀方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔室，其具有：

用于向所述反应腔室输入工艺气体的进气单元；

用于载置待处理基片的基座；

第一气体集中环，设置于所述进气单元和所述基座之间，其包括内环形体和外环形体，所述外环形体包围所述内环形体并通过至少一条辐条与所述内环形体连接为一体，所述内环形体与外环形体之间的中空部以及所述内环形体以内的中空部供所述工艺气体和/或其等离子体通过，其中所述内环形体的内径小于所述基片的直径；以及

可移动的第二气体集中环，设于所述基片外周侧并位于所述基片和所述第一气体集中环之间；以及

驱动单元，用于驱动所述第二气体集中环在远离所述第一气体集中环的第一位置和贴合于所述第一气体集中环下表面的第二位置之间垂直移动；其中当所述第二气体集中环移动至所述第二位置时，其完全遮蔽所述内环形体与外环形体之间的中空部同时完全暴露所述内环形体以内的中空部。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述内环形体、所述外环形体与所述第二气体集中环为同轴的圆环。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二气体集中环的外径大于所述外环形体的内径，所述第二气体集中环的内径大于所述内环形体的内径且小于所述内环形体的外径。

4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二气体集中环的内径大于所述基片的直径。

5.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述辐条为多条，沿所述内环形体的外圆周均匀分布。

6.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述辐条的宽度为5-30mm，所述内环形体的宽度为5-30mm，所述内环形体与外环形体之间的中空部的宽度为10-100mm。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，当所述第二气体集中环移动至所述第一位置时，其下表面与所述基片上表面的垂直距离为0-30mm。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一气体集中环和第二气体集中环的材料为金属或介电材料。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述辐条为直线形状，斜线形状或弯曲形状。

10.一种应用如权利要求1至9任一项所述的等离子体处理装置的等离子体原位刻蚀方法，所述原位刻蚀方法包括执行深沟槽图形刻蚀制程和无图形刻蚀制程，其特征在于，包括:

将所述第二气体集中环定位至所述第一位置；

进行所述深沟槽图形刻蚀制程；

将所述第二气体集中环定位至所述第二位置；

进行所述无图形刻蚀制程。