[发明专利]一种石墨烯薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201410822933.9 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104477903A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 左青云;曾绍海;康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C04B41/50;C03C17/22 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤01：提供一基底；
步骤02：在所述基底上控制形成厚度均匀的碳源层；
步骤03：加热所述碳源层，使所述碳源层发生化学反应而转变为石墨烯薄膜层。
2.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤03具体包括：
步骤31：在所述碳源层上淀积金属催化剂层，以形成金属催化剂层-碳源层-基底的多层结构；
步骤32：对所述多层结构进行退火处理，以使所述碳源层反应形成石墨烯薄膜；
步骤33：去除所述金属催化剂，得到纯的石墨烯薄膜。
3.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，所述金属催化剂层的材料为Cu、Ni、Co、Fe或Pt。
4.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源层的厚度为5-1000A，所述金属催化剂层的厚度为150-250nm。
5.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，所述退火处理的工艺条件为：采用N2或He惰性气体保护或者采用高真空环境，所采用的退火温度为400-1200℃。
6.根据权利要求2所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀法或电化学方法去除所述金属催化剂。
7.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，所述碳源层的材料为无定型碳、碳化硅、或有机分子膜。
8.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤03具体包括：在真空环境下，将碳源层热分解得到所述石墨烯薄膜。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底的碳浓度低于0.5ppma。
10.根据权利要求9所述的石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述基底为硅、氧化硅、氮化硅或石英玻璃基底，或表面具有氧化硅薄膜的硅基底。
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