[发明专利]成像装置、成像系统和成像装置的制造方法

权利要求书

1.一种成像装置，包括：

设在半导体衬底中的结型场效应晶体管，

其中

所述结型场效应晶体管包括第一导电类型的沟道区域、第一导电类型的源极区域、第二导电类型的第一栅极区域、第二导电类型的第二栅极区域、第二导电类型的第三栅极区域以及第二导电类型的第四栅极区域，

第一栅极区域和第二栅极区域被设置在沿着半导体衬底的表面的方向上，

第三栅极区域和第四栅极区域被设置在沿着半导体衬底的表面的方向上，

第一栅极区域和第三栅极区域被设置在半导体衬底的深度方向上，

第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间，

第二栅极区域和第四栅极区域被设置在所述深度方向上，

第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间，

沟道区域包括被设置在第一栅极区域与第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二栅极区域与第四栅极区域之间的第二区域，

源极区域被设置在第一栅极区域与第二栅极区域之间，并且

具有比第三栅极区域的杂质密度低并且比第四栅极区域的杂质密度低的杂质密度的第二导电类型的半导体区域被设置在第三栅极区域与第四栅极区域之间。

2.根据权利要求1所述的成像装置，其中

沟道区域到与所述表面平行的平面的正交投影与第一栅极区域到所述平面上的正交投影和第二栅极区域到所述平面上的正交投影中的每一个相交。

3.根据权利要求2所述的成像装置，其中

第一栅极区域到所述平面上的正交投影与第三栅极区域到所述平面上的正交投影相同，并且

第二栅极区域到所述平面上的正交投影与第四栅极区域到所述平面上的正交投影相同。

4.根据权利要求1所述的成像装置，其中

具有与第三栅极区域和第四栅极区域相同导电类型的区域在整个所述半导体区域中从第三栅极区域在空间上延续到第四栅极区域。

5.根据权利要求1所述的成像装置，其中

在所述半导体区域与第三栅极区域之间和/或在所述半导体区域与第四栅极区域之间形成耗尽层。

6.根据权利要求1所述的成像装置，其中

沟道区域包括被设置在源极区域与所述半导体区域之间的第三区域，并且

源极区域的杂质密度高于第三区域的杂质密度。

7.一种成像装置，包括：

设在半导体衬底中的结型场效应晶体管，

其中

所述结型场效应晶体管包括第一导电类型的沟道区域、第一导电类型的源极区域、第二导电类型的第一栅极区域、第二导电类型的第二栅极区域、第二导电类型的第三栅极区域以及第二导电类型的第四栅极区域，

第一栅极区域和第二栅极区域被设置在沿着半导体衬底的表面的方向上，

第三栅极区域和第四栅极区域被设置在沿着半导体衬底的表面的方向上，

第一栅极区域和第三栅极区域被设置在半导体衬底的深度方向上，

第一栅极区域被设置在所述表面与第三栅极区域之间，

第二栅极区域和第四栅极区域被设置在所述深度方向上，

第二栅极区域被设置在所述表面与第四栅极区域之间，

沟道区域包括被设置在第一栅极区域与第三栅极区域之间的第一区域和被设置在第二栅极区域与第四栅极区域之间的第二区域，

源极区域被设置在第一栅极区域与第二栅极区域之间，并且

设有第一导电类型的半导体区域以从第三栅极区域在空间上延续到第四栅极区域。

8.根据权利要求7所述的成像装置，其中

形成耗尽层以从第三栅极区域在空间上延续到第四栅极区域。