[发明专利]非接触接收器、谐振电路以及可变电容元件有效

专利信息
申请号: 201410823441.1 申请日: 2009-08-28
公开(公告)号: CN104485758B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 管野正喜;羽生和隆;渡边诚;横田敏昭 申请(专利权)人: 迪睿合电子材料有限公司
主分类号: H02J50/12 分类号: H02J50/12;H04B5/00;H02J5/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李浩;姜甜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 接触 接收器 谐振 电路 以及 可变电容 元件
【权利要求书】:

1.一种非接触接收器,其包括:

具有谐振电路的接收部,该谐振电路包括具有由铁电材料形成的可变电容元件的谐振电容器和连接于该谐振电容器的谐振线圈而接收既定频率的接收电压,所述可变电容元件的电容随着所述既定频率的接收电压而变化;以及

整流部,其用于将从所述接收部输出的交流电压转换为直流电压,

所述非接触接收器构成为:不具有用于产生改变所述可变电容元件的电容的控制信号的电路,该可变电容元件的电容根据从外部输入的既定频率的接收信号的施加而变化,

还包括信号处理部,其被从所述整流部输出的所述直流电压驱动并用于解调接收信号,

当所述谐振电路的谐振频率与所述既定频率基本上相同时的所述谐振电容器的电容为C1,且当接收到最大的所述接收电压时的所述谐振电容器的电容为C2,且对应于所述信号处理部的最大工作电压相对于所述最大接收电压的相对值的所述谐振电路的去谐值为Δfd时,C2≤C1/(Δfd)2的关系成立,

所述谐振电路的去谐值是指所述谐振电路的谐振频率相对于基准频率的相对值。

2.如权利要求1所述的非接触接收器,其中,在所述接收电压变化范围内的预定电压范围内,所述可变电容元件具有当所述接收电压变高时所述可变电容元件的电容变小或变大的特性。

3.如权利要求1所述的非接触接收器,其中,对应于所述可变电容元件的最大电容的所述接收电压等于或小于所述信号处理部的最小工作电压。

4.如权利要求1所述的非接触接收器,其中,所述谐振电容器仅包括所述可变电容元件。

5.如权利要求1所述的非接触接收器,

其中,所述铁电材料是其中发生离子极化的铁电材料。

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