[发明专利]阻挡隔膜、其制备方法及包括其的二次电池

权利要求书

1.一种阻挡隔膜，其特征在于，所述阻挡隔膜包括一层或G层单离子聚合物电解质膜，其中G≥2；所述单离子聚合物电解质膜包括聚合物基体和阳离子选择性活性组分，所述阳离子选择性活性组分包括聚合物骨架、所述聚合物骨架上的阴离子以及与所述阴离子连接并位于所述聚合物骨架之外的阳离子；其中，所述阴离子具有负电荷中心以及与所述负电荷中心相连接的至少一个吸电子基团；所述阳离子选择性活性组分具有式I所示通式结构，

其中，R1和R2分别独立地选自所组成的组；

M₁^-选自sp³杂化硼阴离子或双磺酰亚胺阴离子；

N⁺选自锂离子、钠离子或钾离子；

代表单键、双键或成环连接；

所述式I通式结构的分子量为3000～10000。

2.根据权利要求1所述的阻挡隔膜，其特征在于，

所述R1和所述R2分别独立地选自

所述M₁^-选自sp³杂化硼阴离子或双磺酰亚胺阴离子。

3.根据权利要求1或2所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述单离子聚合物电解质膜中，所述阳离子选择性活性组分与所述聚合物基体的质量比1:2～2:1。

4.根据权利要求1所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述单离子聚合物电解质膜中，所述聚合物基体为PVDF-HFP、PVDF、PEO、PVP和PTFE中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述阻挡隔膜还包括与所述单离子聚合物电解质膜叠加设置的一层或H层吸附层，其中H≥2。

6.根据权利要求5所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述单离子聚合物电解质膜为一层，且所述吸附层为一层，所述吸附层设置在所述单离子聚合物电解质膜的上方或下方。

7.根据权利要求5所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述单离子聚合物电解质膜为G层，且所述吸附层为一层，所述吸附层设置在任一层所述单离子聚合物电解质膜的上方或下方。

8.根据权利要求5所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述单离子聚合物电解质膜为一层，且所述吸附层为H层，所述单离子聚合物电解质膜设置在任一层所述吸附层的上方或下方。

9.根据权利要求5所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述单离子聚合物电解质膜为G层，且所述吸附层为H层，将G层所述单离子聚合物电解质膜分为g个膜单元，其中g≤G；将H层所述吸附层分为h个层单元，其中h≤H；其中，g个所述膜单元与h个所述层单元交替设置。

10.根据权利要求5至9中任一项所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述吸附层的材料包括高分子粘结剂和导电吸附填料，所述导电吸附填料与所述高分子粘结剂的质量比为3～4:1。

11.根据权利要求10所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述导电吸附填料的比表面积为250～1500m²/g。

12.根据权利要求11所述的阻挡隔膜，其特征在于，所述导电吸附填料为导电炭黑或导电石墨，所述高分子粘结剂为聚四氟乙烯。

13.一种权利要求1至12中任一项所述的阻挡隔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备一层或G层单离子聚合物电解质膜，经压制形成所述阻挡隔膜；其中G≥2。