[发明专利]一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201410827635.9 | 申请日: | 2014-12-29 |
公开(公告)号: | CN104576788A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硒化镉 增强 石墨 碲化镉 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池,其特征在于自下而上依次有衬底(1)、导电镀膜层(2)、碲化镉层(3)、石墨烯层(4)及硒化镉层(6),所述的太阳电池还设有第一电极(5)和第二电极(7),第一电极(5)设置在导电镀膜层(2)上,第二电极(7)设置在石墨烯层(4)上。
2.根据权利要求1所述的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池,其特征在于所述的导电镀膜层(2)为金属、ITO、FTO、n型掺杂氧化锌或p型掺杂氧化锌。
3.根据权利要求1所述的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池,其特征在于所述的石墨烯层(4)中的石墨烯为1-10层。
4. 根据权利要求1所述的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池,其特征在于所述的硒化镉层(6)为硒化镉薄膜或硒化镉量子点层,所述的硒化镉量子点直径为1nm-1μm。
5. 根据权利要求1所述的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池,其特征在于所述的衬底(1)为刚性衬底或柔性衬底。
6. 根据权利要求1所述的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池,其特征在于所述的第一电极(5)为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极,所述的第二电极(7)为金、钯、银、钛、铬和镍中的一种或几种的复合电极。
7.制备如权利要求1~6任一项所述的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池的方法,其特征在于包括如下步骤:
1)在洁净的衬底(1)上生长导电镀膜层(2);
2)在导电镀膜层(2)上沉积碲化镉层(3),并在导电镀膜层(2)表面预留生长第一电极(5)的面积;
3)将石墨烯转移至碲化镉层(3)上;
4)在石墨烯层(4)上制作硒化镉层(6),并在石墨烯层(4)表面预留生长第二电极(7)的面积;
5)在导电镀膜层(2)上沉积第一电极(5),并在石墨烯层(4)上沉积第二电极(7)。
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