[发明专利]一种常温常压二氧化硅CVD装置

权利要求书

1.一种常温常压二氧化硅化学气相沉积(CVD)装置，以及用该装置在物件表面及孔道结构表面沉积二氧化硅的方法。该CVD装置包含流量计、四氯化硅鼓泡装置、水鼓泡装置、CVD室等四部分组成。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅CVD装置，其进行沉积的方法如下：

首先将样品置入CVD室中部，使高纯氮气通过四氯化硅鼓泡装置通入CVD室内，保持气流一定时间后关闭，并打开通往水鼓泡装置的高纯氮气流，使之通入CVD室并保持一定时间；是为一次交替通气循环。在该循环中，四氯化硅和水分别被氮气以气态的形式携带至CVD室内，并在其中发生化学反应，生成二氧化硅沉积于样品表面、样品孔道表面、沉积室内壁。通过重复以上交替通气循环，可以有效地控制沉积物表面沉积的二氧化硅层的厚度。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅CVD装置，CVD室的体积可根据样品的大小选用，优选0.5L-10L。

4.根据权利要求1所述的二氧化硅CVD装置，流量计1和2可使用但不限于转子流量计。

5.根据权利要求1和2所述的二氧化硅CVD装置及沉积方法，每分钟氮气的流量可控制在CVD室体积的0.1-10倍，优选0.5-3倍。

6.根据权利要求1和2所述的二氧化硅CVD装置及沉积方法，通入每个鼓泡装置的气流保持时间可以选择10-600s，优选20-120s。