[发明专利]基于异构混合内存的NVM坏块识别处理及纠错方法和系统

说明书

本发明提供了一种基于异构混合内存的NVM坏块识别处理及纠错方法，该方法包括：在自检过程中，执行：检测NVM的块中的每个地址单元中的数据，如果块中任一地址单元中的数据，对读取的所述数据运算后得到的数据与将运算后得到的数据写入地址单元后再次读取得到的数据不相同，则判定块为坏块；如果块中所有地址单元中的数据，对读取的所述数据运算后得到的数据与将运算后得到的数据写入地址单元后再次读取得到的数据都相同，则判定块为好块。将读取的数据进行运算后写入相同的地址，能识别NVM中的坏块并且降低误判的几率，保证NVM内存中的数据的可靠性和完整性。此外，还提供了一种基于异构混合内存的NVM坏块识别处理及纠错系统。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，特别是涉及一种基于异构混合内存的NVM坏块识别处理及纠错方法和系统。

背景技术

随着电阻存储器、铁电存储器、相变存储器等为代表的新兴非易失性随机存储介质(Non-Volatile Memory，NVM)技术的发展，推进了存储技术的发展，为新型的内存与存储体系结构的产生打下了良好的基础。通过把新型的NVM和动态随机访问存储器(DynamicRandom Access Memory，DRAM)相结合，搭建混合内存架构，形成异构混合内存。异构混合内存同时具有NVM和DRAM的特点，不仅仅具备常规内存的功能，存储在DRAM中的数据在断电后会立即消失，是易失性的；同时还能发挥NVM在断电后还能保存数据的优势，充分发挥NVM非易失性的特点，是一种混合使用的新型内存。

异构混合内存满足现有工业控制设备的常规内存接口，无需引进新的工业控制设备或添加新的辅助设备，成为了一个研究热点。

异构混合内存中的NVM与DRAM特性不同，NVM存在擦写总次数有限制的先天缺陷，达到一定擦写次数后NVM将会失效，并且NVM存储区域出现的损坏是永久性的，同时限于当今的制造工艺和寿命限制，NVM将不可避免的出现坏块，常规的DRAM内存数据处理方法不涉及到NVM坏块，不适用于异构混合内存中的NVM内存。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种基于异构混合内存的NVM坏块识别处理及纠错方法和系统，能识别NVM中的坏块，并进行处理和数据纠错，保证NVM内存中的数据的可靠性和完整性。

一种基于异构混合内存的NVM坏块识别处理及纠错方法，所述方法包括：

在自检过程中，执行：

检测NVM的块中的每个地址单元中的数据；

如果块中任一地址单元中的数据，对读取的所述数据运算后得到的数据与将所述运算后得到的数据写入地址单元后再次读取得到的数据不相同，则判定所述块为坏块；

如果块中所有地址单元中的数据，对读取的所述数据运算后得到的数据与将所述运算后得到的数据写入地址单元后再次读取得到的数据都相同，则判定所述块为好块。

在其中一个实施例中，所述检测NVM的块中的每个地址单元中的数据的步骤包括：

将NVM的块的起始地址单元作为当前地址单元，执行：

读取所述当前地址单元的数据，得到第一读取数据，将所述第一读取数据进行运算，得到第一运算数据；

将所述第一运算数据写入所述当前地址单元，读取所述第一运算数据得到第二读取数据；

判断所述第二读取数据与第一运算数据是否相同，如果不同，则所述块为坏块；如果相同，则进一步判断所述当前地址单元是否为NVM的块的结束地址单元，如果是，则所述块为好块，否则将下一个地址单元作为当前地址单元，返回所述读取所述当前地址单元的数据的步骤。

在其中一个实施例中，所述NVM包含数据存储区和备用块区；所述备用块区中保存了用于记录NVM的块状态的状态表和用于记录坏块和好块的替换关系的映射表；所述方法还包括：