[发明专利]一种光催化产氢助催化剂、光催化体系及产氢的方法

权利要求书

1.一种光催化体系，其特征在于，所述体系包括：

半导体和助催化剂形成的结；

电子牺牲剂；和

水；

其中，所述半导体为CdS、CdSe、CdTe、TiO₂中的一种或两种以上混合物；

所述助催化剂为CoP；

所述半导体和助催化剂形成的结是通过将半导体和助催化剂经原位生成方法得到；

原位生成方法是：将半导体分散于水中，加入适量的硝酸钴和柠檬酸钠，再加入氢氧化钠溶液，得到氢氧化钴/半导体杂化体，将得到的氢氧化钴/半导体杂化体置于石英舟的一端，再在另外一端放入次磷酸钠，在氩气保护下加热，得到磷化钴/半导体结，所述加热是在280-320℃加热0.8-1.2小时。

2.根据权利要求1所述的光催化体系，其特征在于，所述电子牺牲剂选自乳酸、Na₂S-Na₂SO₃混合水溶液、乙醇酸、苦杏仁酸、抗坏血酸、三乙胺或者三乙醇胺。

3.根据权利要求2所述的光催化体系，其特征在于，所述电子牺牲剂的浓度为0.5-2.0mol/L。

4.根据权利要求1所述的光催化体系，其特征在于，所述助催化剂为磷化钴。

5.根据权利要求1所述的光催化体系，其特征在于，所述加热是在300℃加热1小时。

6.根据权利要求4所述的光催化体系，其特征在于，所述磷化钴的用量是半导体的1-8wt％。

7.根据权利要求6所述的光催化体系，其特征在于，所述磷化钴的用量是半导体的5wt％。

8.利用权利要求1-7任一所述的光催化体系产氢的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将半导体和助催化剂形成结；

2)将结、电子牺牲剂、水混合，得到混合反应液；

3)用光照射混合反应液，生成氢气；

其中，所述半导体为CdS、CdSe、CdTe、TiO₂中的一种或两种以上混合物；

所述助催化剂为CoP。

9.根据权利要求8所述的光催化体系产氢的方法，其特征在于，所述方法还包括：用惰性气体对混合反应液除气，密封，得到密封物，之后用光照射密封物，生成氢气。