[发明专利]接收机频域降噪方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410828157.3 申请日: 2014-12-25
公开(公告)号: CN104639191A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 宋挥师;雷海燕;仲智刚;昆仑 申请(专利权)人: 大唐半导体设计有限公司
主分类号: H04B1/10 分类号: H04B1/10
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 李红爽;栗若木
地址: 100094*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 接收机 频域降噪 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及通信领域,尤其涉及一种接收机频域降噪方法及装置。

背景技术

在现代通信的发展中,模拟调频(Frequency Modulation,简称FM)系统被广泛的应用。

通常FM接收机中采用一些非线性处理步骤,如,求相位操作,从而导致FM系统有较多的噪声。在现有技术中,通常采用滤波器滤除FM系统的带外的噪声。

然而,如果滤波器设计带宽较窄,将会损伤有用信号,如果较宽,将导致带外噪声滤除不彻底。因此,现有技术中无法有效的去除FM系统噪声。

发明内容

本发明提供一种接收机频域降噪方法及装置,用以解决无法有效的去除FM系统噪声的问题。

本发明的第一个方面是提供一种接收机频域降噪方法,包括:

获取频域样本信号序列,所述频域样本信号序列包括多个频域样本信号;

将所述频域样本信号序列的各频域样本信号进行编码,获得样本编码序列;

根据所述样本编码序列,对所述频域样本信号序列进行降噪处理。

可选的,所述根据所述样本编码序列,对所述频域样本信号序列进行降噪处理,包括:

根据所述样本编码序列对所述频域样本信号序列进行分组,获得N组子频域样本信号序列,N为大于或等于1的整数;

将每组所述子频域样本信号序列的各频域样本信号值进行相加,获得子频域样本信号序列值;

根据每组所述子频域样本信号序列值,确定对每组所述子频域样本信号序列的降噪处理模式;

根据所述降噪处理模式,对每组所述子频域样本信号序列进行降噪处理。

可选的,所述将所述频域样本信号序列的各频域样本信号进行编码,获得样本编码序列之后,还包括:

将所述样本编码序列与第一降噪器的第一样本编码进行匹配,确定与所述第一样本编码匹配的第一子样本编码序列,所述第一子样本编码序列至少包括所述样本编码序列的一部分样本编码序列;

将所述第一子样本编码序列对应的频域样本信号序列输入所述第一降噪器;

所述根据所述样本编码序列,对所述频域样本信号序列进行降噪处理,包括:

根据所述第一子样本编码序列,对所述第一频域样本信号序列进行降噪处理。

可选的,所述将所述频域样本信号序列的各频域样本信号进行编码,获得样本编码序列之后,还包括:

将所述样本编码序列与第二降噪器的第二样本编码进行匹配,确定与所述第二样本编码匹配的第二子样本编码序列,所述第二子样本编码序列至少包括所述样本编码序列的一部分样本编码序列;

将所述第二子样本编码序列对应的频域样本信号序列输入所述第二降噪器;

所述根据所述样本编码序列,对所述频域样本信号序列进行降噪处理,包括:

根据所述第二子样本编码序列,对所述第一频域样本信号序列进行降噪处理。

可选的,所述将所述频域样本信号序列的各频域样本信号进行编码,获得样本编码序列,包括:

将所述频域样本信号序列输入第一降噪器;

根据所述第一降噪器中设置的第一初始值,对所述频域样本信号序列进行编码,获得第一样本编码序列。

可选的,所述将所述频域样本信号序列的各频域样本信号进行编码,获得样本编码序列,还包括:

将所述频域样本信号序列输入第二降噪器;

根据所述第二降噪器中设置的第二初始值,对所述频域样本信号序列进行编码,获得第二样本编码序列。

本发明的第二个方面是提供一种接收机频域降噪装置,包括:

获取模块,用于获取频域样本信号序列,所述频域样本信号序列包括多个频域样本信号;

编码模块,用于将所述频域样本信号序列的各频域样本信号进行编码,获得样本编码序列;

降噪处理模块,用于根据所述样本编码序列,对所述频域样本信号序列进行降噪处理。

可选的,所述降噪处理模块,具体用于根据所述样本编码序列对所述频域样本信号序列进行分组,获得N组子频域样本信号序列,N为大于或等于1的整数;将每组所述子频域样本信号序列的各频域样本信号值进行相加,获得子频域样本信号序列值;根据每组所述子频域样本信号序列值,确定对每组所述子频域样本信号序列的降噪处理模式;根据所述降噪处理模式,对每组所述子频域样本信号序列进行降噪处理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大唐半导体设计有限公司,未经大唐半导体设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410828157.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top