[发明专利]薄膜晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410828161.X | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789317A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵加湘 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管器件，依次包括：衬底、缓冲层、沟道层、栅绝缘层、 栅极、层间绝缘层以及源漏极，其特征在于，所述沟道层的形状为弯曲型。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述沟道层的形状 为S型。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述沟道层包括非 掺杂区沟道层与掺杂区沟道层。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述非掺杂区沟道 层在衬底上的投影位于所述栅极在衬底上的投影区域内，所述掺杂区沟道层连 接所述非掺杂区沟道层，所述掺杂区沟道层在衬底上的投影位于所述栅极在衬 底上的投影区域外。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述沟道层上的栅 极为多条。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述缓冲层包括氮 化硅层与氧化硅层。
7.如权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，还包括位于所述源 极与漏极之上的平坦层。
8.一种薄膜晶体管器件的制备方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上依 次形成缓冲层、沟道层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极，其特征在 于，刻蚀所述沟道层形成弯曲型沟道层。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，形成所述栅极之后 还包括：采用自对准工艺对所述沟道层进行离子注入。
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