[发明专利]有机发光显示装置及其像素结构有效
| 申请号： | 201410828225.6 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105789248B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘将;魏朝刚;刘巍 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示装置 及其 像素 结构 | ||
1.一种像素结构，其特征在于，包括多个像素单元，所述像素单元的形状为长方形，所述像素单元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素的形状为L形，所述第二子像素的形状与所述第一子像素的形状相同，所述第一子像素和所述第二子像素相对设置，并形成至少容纳部分所述第三子像素的区域，所述第三子像素至少一边与所述像素单元的一条边至少部分重叠；横向相邻的所述像素单元呈镜像排布，纵向相邻的所述像素单元呈镜像排布。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一子像素为红色像素，所述第二子像素为绿色像素，所述第三子像素为蓝色像素；所述第一子像素和第二子像素相对所述第三子像素的对称轴对称。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第三子像素的面积大于所述第一子像素的面积。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素单元的形状为正方形。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述第三子像素的形状为矩形。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第三子像素全部位于所述第一子像素和所述第二子像素形成的容纳区域内。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述第三子像素的两个长边分别与所述第一子像素和第二子像素邻接，所述第三子像素的一个宽边同时与所述第一子像素和第二子像素邻接，所述第三子像素的另一个宽边与所述像素单元的一条边部分重叠。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第三子像素的形状为T形。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述T形第三子像素的竖直部分位于所述第一子像素和所述第二子像素形成的容纳区域内，所述T形第三子像素的水平部分的一个长边与所述像素单元的一条边全部重叠，所述T形第三子像素的水平部分的两个宽边分别与所述像素单元的另外两边部分重叠。
10.一种有机发光显示装置，其特征在于，包含权利要求1-9任一项所述的像素结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
