[发明专利]一种薄膜太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201410828273.5 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104485392A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李旺;牛新伟;刘石勇;王仕鹏;黄海燕;陆川 | 申请（专利权）人： | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
a)在玻璃衬底上通过LPCVD沉积BZO薄膜；
b)在氢气气氛下对所述BZO薄膜进行退火处理；
c)在所述BZO薄膜上形成第一开口，并对所述BZO薄膜进行清洗；
d)在所述BZO薄膜上形成发射极层，所述发射极层覆盖所述第一开口；
e)在所述发射极层上紧邻所述第一开口形成第二开口；
f)在所述发射极层上形成背电极，所述背电极覆盖所述第二开口；
g)在所述背电极以及所述发射极层上形成第三开口。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤a)中，沉积所述BZO薄膜时：H2O:DEZ的流量比为0.8～1.3；H6B2相对于DEZ的掺杂量为0.5％-6％。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中所述H6B2用H2或者Ar气进行稀释，其中H6B2含量为0.5-3％。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中的反应温度为160℃～170℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述BZO薄膜的厚度为1300-1800nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理在160℃～250℃的温度下进行。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理在160℃～220℃的温度下进行。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的保温时间为10min～60min。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤d)中，采用PECVD法或者磁控溅射法在所述BZO薄膜上制备所述发射极层。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用激光烧蚀的方式形成所述第一开口、第二开口和第三开口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
