[发明专利]存储器件

说明书

一种存储器件包括：计数器，其适于对周期波被使能的次数计数，并且产生编码；一个或更多个存储体，其中的每个包括多个字线；以及一个或更多个测量区块，其分别与存储体相对应，并且适于测量存储体之中的相应存储体中的激活字线的激活时段，其中，测量区块中的每个基于编码在相应存储体的激活开始点处的第一值和编码的当前值来测量激活字线的激活时段。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年6月25日提交的申请号为10-2014-0077971的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种存储器件。

背景技术

存储器包括多个存储器单元。存储器中的每个存储器单元包括用作开关的晶体管和储存表示数据的电荷的电容器。数据根据存储器单元中的电容器中是否存在电荷，换言之，电容器的端接电压电平是高还是低，来区分逻辑高电平(逻辑值‘1’)和逻辑低电平(逻辑值‘0’)。

数据通过累积在电容器中的电荷的方式来储存，并且理论上储存的数据或累积的电荷没有损耗。然而，由于在MOS晶体管的PN结中的电流泄漏，所以累积在电容器中的初始电荷可消失，且因此储存在存储器单元中的数据可丢失。为了防止数据丢失，在储存的数据丢失之前，储存在存储器单元中的数据被读取，且基于读取的数据对电荷周期性地再充电，这被称作为刷新操作。刷新操作使得存储器保持储存的数据，而没有数据丢失。

图1是图示包括在存储器件中的部分单元阵列、以描述字线干扰现象的电路图。在图1中，BL代表位线。

参见图1，三个字线WLK-1、WLK和WLK+1被平行地布置在单元阵列中。具有符号“HIGH_ACT”的字线WLK为激活字线。字线WLK-1和WLK+1被设置成与字线WLK相邻。此外，存储器单元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1分别与字线WLK-1、WLK和WLK+1耦接。存储器单元CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1分别包括单元晶体管TR_K-1、TR_K和TR_K+1以及单元电容器CAP_K-1、CAP_K和CAP_K+1。

当字线WLK被激活时，由于字线WLK与字线WLK-1和WLK+1之间的耦合效应，所以字线WLK-1和WLK+1的电压波动，由此影响储存在字线WLK-1和WLK+1的单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1的电荷量，这被称作为字线干扰。换言之，与激活字线WLK的相邻字线WLK-1和WLK+1相对应的存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1的数据丢失的可能性增加，当激活字线WLK被激活更长时段时可变得更严重。

发明内容

本发明的各种实施例针对一种存储器件，其提供了一种即使当激活字线被激活长时段时也防止与周围字线相对应的存储器单元的数据丢失的方案。

根据本发明的一个实施例，一种存储器件包括：计数器，其适于对周期波被使能的次数计数，并且产生编码；一个或更多个存储体，其中的每个包括多个字线；以及一个或更多个测量区块，其分别与存储体相对应，并且适于测量存储体之中的相应存储体中的激活字线的激活时段，其中，测量区块中的每个基于编码在相应存储体的激活开始点处的第一值和编码的当前值来测量激活字线的激活时段。

存储器件还可以包括：一个或更多个刷新区块，其分别与存储体相对应，并且适于刷新存储体之中的相应存储体中的字线，其中，当第一字线的激活时段通过在测量区块之中的相应测量区块被测量超过阈值时，刷新区块中的每个刷新与第一字线相邻的一个或更多个字线。

测量区块中的每个可以包括：锁存器，其适于锁存在相应存储体的激活开始点处的编码；以及感测单元，其适于基于储存在锁存器中的锁存的编码的值和编码的当前值来产生相应阈值信号。