[发明专利]氮化物半导体外延晶圆和氮化物半导体器件在审
| 申请号： | 201410829294.9 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104779280A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 坂口春典;田中丈士;成田好伸;目黑健 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 外延 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种厚度为100μm以上、直径为50mm以上的氮化物半导体外延晶圆，
其具有基板和形成于所述基板之上的、上表面的面方位为(002)面的氮化物半导体层，
所述氮化物半导体层的(002)面或(100)面的X射线摇摆曲线的半峰宽的面内偏差为30％以下。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体外延晶圆，其中，所述偏差为25％以下。
3.一种氮化物半导体器件，其为使用权利要求1所述的氮化物半导体外延晶圆形成的高电子迁移率晶体管。
4.一种氮化物半导体器件，其为使用权利要求2所述的氮化物半导体外延晶圆形成的高电子迁移率晶体管。
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