[发明专利]一种光敏LED灯及控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED照明领域，特别是涉及一种能够自动识别自身与环境光线并进行亮度补偿的光敏LED灯及控制方法。

背景技术

目前市面上的光感灯泡和灯具在检测外界光线时都必须避开自身光线的干扰，以避免因感应到自己所发的光线而产生的闪烁。现有的灯泡或灯具只能控制也灯泡的开启或关闭，亮度不会随外界光线变化调整灯的亮度，不能根据外界环境亮度自动进行亮度补偿，造成能源浪费。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种光敏LED灯及控制方法，能够智能识别自身发光与环境光线，使得光敏不需要避开光源，有利于结构设计的优化和美观，同时解决现有光敏灯具不具有调光功能。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种光敏LED灯，包括电源单元、MCU单元、光敏传感器、功率调整单元和LED灯；所述MCU单元、光敏传感器和功率调整单元的电源输入端分别与所述电源单元电连接；所述光敏传感器的输出端和功率调整单元的控制输入端分别与MCU单元电连接，所述功率调整单元的输出端与所述LED灯电连接。

进一步的，所述光敏传输器为高速光敏二极管或高速光敏三极管。

进一步的，所述电源单元包括5V电压输出端和220V电压输出端；所述5V电压输出端分别与所述MCU单元和光敏传感器电连接，所述220V电压输出端与所述功率调整单元的电源输入端电连接。

进一步的，所述功率调整单元包括MOSFET和设置于MOSFET背部的铝合金散热片；所述MOSFET的漏极电连接所述电源单元，MOSFET的栅极电连接所述MCU单元，MOSFET的源极电连接所述LED灯。

进一步的，还包括模/数转换芯片，所述光敏传感器通过所述模/数转换芯片电连接于所述MCU单元。

为解决上述技术问题，本发明提供的另一技术方案为：

一种以上所述的光敏LED灯的控制方法，包括步骤：

S1、MCU单元上电初始化；

S2、关闭LED灯，使用高速光敏二极管或调整光敏三极管检测环境的光线强度值；

S3、根据所述光线强度值计算光线补偿量；

S4、开启定时器进行计时，并根据所述光线补偿量控制PWM输出信号，直至定时器溢出，其中，所述PWN输出信号用于点亮LED灯；

S5、循环所述S2至S4直至结束。

本发明的有益效果在于：解决了现有区别于现有的光敏LED灯的受自身发光影响的通病，输出功率不可调，只有开启或关闭两种工作状态，存在资源使用不合理浪费电能的问题，本发明光敏LED灯包括光敏传感器、功率调整单元和LED灯，可以根据光敏传感器检测到的环境亮度值来控制功率调整单元的输出功率，从而实现根据环境亮度来调整LED灯的输出功率，智能识别环境光强实时实现光补偿，大大提高了LED灯的节能环保性。

附图说明

图1为本发明一实施方式光敏LED灯的电路原理图；

图2为本发明一实施方式中光敏LED灯的控制流程图；

图3为本发明一实施方式中光敏LED灯的控制方法的流程图。

标号说明：

10、光敏传感器；20、电源单元；30、功率调整单元；40、LED灯；50、MCU单元。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等。[1]金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET)。而IGFET的栅极绝缘层，有可能是其他物质，而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。

本发明最关键的构思在于：包括光敏传感器10、功率调整单元30和LED灯40，根据光敏传感器10检测到的光线控制功率调整单元30的功率输出，实现智能亮度控制及功能目的。