[发明专利]一种减小热载流子效应的横向高压器件在审
| 申请号： | 201410829923.8 | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN104600118A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 乔明;周锌;祁娇娇;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 载流子 效应 横向 高压 器件 | ||
1.一种减小热载流子效应的横向高压器件，包括第二导电类型半导体衬底(1)；形成在第二导电类型半导体衬底(1)上的第一导电类型体区(2)和第二导电类型阱区(3)；形成在第一导电类型体区(2)中的第一导电类型接触区(4)和第一导电类型源区(5)；形成在第二导电类型阱区3中的浅槽隔离区(7)和第一导电类型缓冲区(11)，浅槽隔离区(7)位于第一导电类型体区(2)和第一导电类型缓冲区(11)之间；形成于第一导电类型缓冲区(11)中的第二导电类型漏区(6)；形成于第一导电类型源区(5)和浅槽隔离区(7)之间区域上方的栅氧化层(10)，形成于栅氧化层(10)和部分浅槽隔离区(7)之上的多晶硅栅(8)，其特征在于，所述浅槽隔离区(7)内还设有高介电常数介质块(12)。
2.根据权利要求1所述的减小热载流子效应的横向高压器件，其特征在于，所述高介电常数介质块(12)的介电常数高于浅槽隔离区材料的介电常数。
3.根据权利要求1所述的减小热载流子效应的横向高压器件，其特征在于，所述高介电常数介质块(12)的长度小于或等于浅槽隔离区长度的三分之一，高介电常数介质块(12)的高度小于或等于浅槽隔离区的高度。
4.根据权利要求1所述的减小热载流子效应的横向高压器件，其特征在于，所述高介电常数介质块(12)的左侧面与浅槽隔离区(7)的左侧面之间的距离小于或等于浅槽隔离区长度的三分之一。
5.根据权利要求1所述的减小热载流子效应的横向高压器件，其特征在于，所述高介电常数介质块为一种介电常数高于浅槽隔离区材料的材料，或者为两种以上介电常数高于浅槽隔离区材料的材料复合而成。
6.根据权利要求1所述的减小热载流子效应的横向高压器件，其特征在于，所述第二导电类型漏区(6)采用第一导电类型漏区(6)代替。
7.根据权利要求1所述的减小热载流子效应的横向高压器件，其特征在于，所述第一导电类型接触区(4)和第一导电类型源区(5)上方设置源电极(91)，所述第二导电类型漏区(6)上方设置漏电极(92)，所述多晶硅栅(8)和浅槽隔离区(7)的上方和侧面覆盖氧化层(13)。
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