[发明专利]一种低频晶振起振电路在审
申请号: | 201410829934.6 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN105790725A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 穆德霞 | 申请(专利权)人: | 天津铭发科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/19 | 分类号: | H03H9/19 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300000 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低频 振起 电路 | ||
技术领域
本发明属于起振电路技术领域,尤其涉及一种低频晶振起振电路。
背景技术
石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件,由于石英晶体具有非常高的品质因数,因此石英晶体振荡器能够产生频率准确而稳定的振荡波形,而广泛用于对振荡频率要求较高的钟表、军工、通信等领域。
当振荡器电路满足小信号的起振条件,在电源上电的时候,由于电路中的噪声干扰作用,即开始有瞬变电流的产生,这个瞬变电流所包含的频带极宽,因此,传统的起振电路稳定性差。
发明内容
本发明提供一种汽车低功耗起振电路,以解决上述背景技术中传统的起振电路稳定性差的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:本发明提供一种低功耗起振电路,其特征在于:包括输入端J1、输出端J2、起振电路、抗干扰电路,所述起振电路包括晶振Y1、电容C1、电容C2、滑动变阻器R1、场效应管Q2、电阻R3,所述晶振Y1的一端接电容C1的一端、滑动变阻器R1的引脚1、场效应管Q2的G极,另一端接滑动变阻器R1的引脚2、电容C2的一端、场效应管Q1的G极,所述电容C1的另一端接场效应管Q2的D极、电容C2的另一端、电阻R3的一端且接地,所述电阻R3的另一端接场效应管Q1的S极,
所述抗干扰电路包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3、电阻R2,所述输入端J1接电阻R2的一端、场效应管Q2的S极,所述电阻R2的另一端接三极管Q3的集电极,所述三极管Q3的基极接电阻R4的一端、电容C3的一端、三极管Q4的集电极,其发射极接电阻R4的另一端、三极管Q4的基极、滑动变阻器R1的引脚3,所述三极管Q4的集电极接电容C3的另一端、场效应管Q1的D极、输出端J2。
所述三极管Q3选用NPN三极管。
所述三极管Q4选用NPN三极管。
所述场效应管Q2的MOS管。
本发明的有益效果为:
1本专利的通过两个晶体三极管的设计来保护起振电路,通过三极管导通截止特性,有效防止了由于电源抖动而对电路工作造成的不稳定。
2本专利采用两个场效应管的设计,来降低电路设计的复杂性,简化电路,使其体积小,易集成,便于大范围实用。
3本专利采用三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3,组建抗干扰电路,提高电路的抗干扰能力,大大降低电路功耗。
4本专利采用三极管Q4的发射极和基极并联电阻R4两端的设计,解决电阻R4过大时,会增加直流电压的损失,而当C4值过大时,还会使体积和重量增大的问题。
附图说明
图1是本发明的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步描述:
实施例:
本实施例包括:输入端J1、输出端J2、起振电路、抗干扰电路,如图1所示。
起振电路包括晶振Y1、电容C1、电容C2、滑动变阻器R1、场效应管Q2、电阻R3,晶振Y1的一端接电容C1的一端、滑动变阻器R1的引脚1、场效应管Q2的G极,另一端接滑动变阻器R1的引脚2、电容C2的一端、场效应管Q1的G极,电容C1的另一端接场效应管Q2的D极、电容C2的另一端、电阻R3的一端且接地,电阻R3的另一端接场效应管Q1的S极。
抗干扰电路包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R4、电容C3、电阻R2,输入端J1接电阻R2的一端、场效应管Q2的S极,电阻R2的另一端接三极管Q3的集电极,三极管Q3的基极接电阻R4的一端、电容C3的一端、三极管Q4的集电极,其发射极接电阻R4的另一端、三极管Q4的基极、滑动变阻器R1的引脚3,三极管Q4的集电极接电容C3的另一端、场效应管Q1的D极、输出端J2。
利用本发明所述的技术方案,或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本发明的保护范围。
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