[发明专利]化学强化用浮法玻璃有效
申请号: | 201410830179.3 | 申请日: | 2012-06-22 |
公开(公告)号: | CN104591523B9 | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 山中一彦;小池章夫;藤原祐辅;小林大介;网野阳介;秋山良司;白井正信 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03B18/02 | 分类号: | C03B18/02;C03C3/085;C03C3/087 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 王海川,穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 化用 玻璃 | ||
本申请是申请日为2012年6月22日、申请号为201280031658.8的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种化学强化用浮法玻璃。
背景技术
近年来,在手机或便携式信息终端(PDA)等平板显示装置中,为了保护显示器及提升美观,而以成为比图像显示部分更广的区域的方式将薄的板状盖板玻璃(カバ一ガラス)配置在显示器的前面。
对于这样的平板显示装置,要求轻量及薄型化,因此,要求用于显示器保护用的盖板玻璃也变薄。
但是,使盖板玻璃的厚度变薄时,强度降低,有时会因使用中或携带中的掉落等而盖板玻璃自身破裂,存在不能发挥保护显示装置的本来的作用的问题。
因此,现有的盖板玻璃为了提高耐划伤性,而通过对通过浮法制造的浮法玻璃进行化学强化而在表面形成压缩应力层从而提高盖板玻璃的耐划伤性。
近年来,在盖板玻璃等中,所要求的耐划伤性变得更高。对现有的钠钙玻璃进行化学强化而成的化学强化浮法玻璃的表面压缩应力为约500MPa,压缩应力层的深度为约10μm,但为了适应对高耐划伤性的要求,而开发了表面压缩应力为600MPa以上,压缩应力层的深度为 15μm以上的化学强化浮法玻璃。
据报道,浮法玻璃在化学强化后产生翘曲而损害平坦性(专利文献1)。该翘曲由于浮法成形时不与熔融锡接触的玻璃面(以下,也称为顶面)和与熔融锡接触的玻璃面(以下,也称为底面)的化学强化的程度(入リ方)不同而产生。
由于化学强化的程度越强,上述浮法玻璃的翘曲越大,因此,在为了适应对高耐划伤性的要求而开发的、上述表面压缩应力为600MPa以上,压缩应力层的深度为15μm以上的化学强化浮法玻璃中,与现有的表面压缩应力为约500MPa且压缩应力层的深度为约10μm的化学强化浮法玻璃相比,翘曲的问题更加明显。
目前,作为浮法玻璃的顶面与底面化学强化的程度不同的理由,认为是由于在浮法成形时熔融金属侵入与熔融金属接触的玻璃面(专利文献1)。
在专利文献1中,公开了通过不对由浮法方式制造、加工的板状体进行表面研磨,而是在浸渍于或接触Li离子或者Na离子或它们的混合无机盐后进行化学强化,从而改善上述翘曲。
另外,目前,为了减少上述翘曲,而有如下应对方法:减小由化学强化而引起的强化应力,或在通过对浮法玻璃的顶面及底面进行磨削处理或研磨处理等而除去表面异质层后进行化学强化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第2033034号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是,在专利文献1记载的方法中,需要在化学强化前在混合无机盐中对浮法玻璃进行浸渍处理,较为繁杂。另外,在减小强化应力的方法中化学强化后的浮法玻璃的强度可能会变得不充分。
另外,在化学强化前对浮法玻璃的顶面及底面进行磨削处理或研磨处理等的方法,从提高生产率的观点考虑,存在问题,优选省略这些研削处理或研磨处理等。
因此,本发明的目的在于,提供一种能够有效地抑制化学强化后的翘曲,并且能够省略或简化化学强化前的研磨处理等的化学强化用浮法玻璃。
用于解决问题的手段
本发明人等发现:浮法玻璃的底面和顶面的化学强化的程度产生差异的主要原因并非在浮法成形时侵入与熔融金属接触的玻璃面的该金属,而是顶面和底面的氢浓度差。另外发现:通过减小该氢浓度差,而使顶面和底面的利用化学强化的强化容易度均衡化,能够减少化学强化后的浮法玻璃的翘曲。另外发现:通过测定表层β-OH,能够使误差范围更窄地评价浮法玻璃的底面和顶面的氢浓度,根据这些发现,完成了本发明。
即,本发明如下所述。
1.一种化学强化用浮法玻璃,其具有在成形时与熔融金属接触的底面和与该底面相对的顶面,其中,顶面的深度5~10μm处的标准化氢浓度与底面的深度5~10μm处的标准化氢浓度之差的绝对值为0.35以下,所述深度5~10μm处的标准化氢浓度为深度5~10μm处的氢浓度除以深度50~55μm处的氢浓度所得的值。
在此,深度5~10μm处的氢浓度及深度50~55μm处的氢浓度为在以下的分析条件下测定的值(平均值)。
(分析条件)
测定装置:具有四极质谱分析仪的次级离子质谱分析装置
初级离子种类:Cs+
初级加速电压:5.0kV
初级离子电流:1μA
初级离子入射角(与试样面的垂直方向的角度):60°
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭硝子株式会社,未经旭硝子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410830179.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种保偏光纤的制造方法
- 下一篇:污泥干化处理装置及处理方法