[发明专利]图形化蓝宝石衬底的制作方法

权利要求书

1.图形化蓝宝石衬底的制作方法，包括步骤：

1）提供一蓝宝石衬底，具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上形成图案化掩膜层；

2）采用干蚀刻在第一表面上形成一系列突起结构，所述各个突起结构之间的连接区域被蚀刻成小凸面；

3）对所述蓝宝石衬底的第一表面进行湿法蚀刻，从而形成图形化表面，该表面具有一系列规则排列的第一尺寸d1的第一突起部，所述各个第一突起部之间的连接区没有C面（即（0001）面）。

2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤1）中形成的图案化掩膜层由一系列柱状光阻、氧化物或金属构成。

3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤2）中形成的连接各个突起结构的小凸面为曲面。

4.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤2）中形成的连接各个突起结构的小凸面的高度为0.05um~0.5um。

5.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤3）中采用硫磷酸混和液蚀刻所述蓝宝石衬底的第一表面，形成所述图形化表面。

6.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制作方法，其特征在于：所述步骤3中形成的图形化表面还具有一系列第二尺寸d2的第二突起部，相邻的三个第一突起部之间构成三角形，所述三角形内部具有一个二突起部，其中d1>d2，所述第一突起部和第二突起部直接或以曲面相连接从而使得所述连接区没有C面（即（0001）面）。

7.发光二极管的制作方法：包括步骤：

1）提供一蓝宝石衬底，具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上形成图案化掩膜；

2）采用干蚀刻在第一表面上形成一系列突起结构，所述各个突起结构之间的连接区域被蚀刻成小凸面；

3）对所述蓝宝石衬底的第一表面进行湿法蚀刻，从而形成图形化表面，该表面具有一系列规则排列的第一尺寸d1的第一突起部，所述各个第一突起部之间以曲面相连接从而使得所述连接区没有C面（即（0001）面）；

4）在所述图形化表面上采用PVD形成一AlN层；

5）在所述AlN层上外延生长发光外延叠层，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层。

8.根据权利要求7所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤2）中形成的连接各个突起结构的小凸面为曲面。

9.根据权利要求7所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤3中形成的图形化表面还具有一系列第二尺寸d2的第二突起部，相邻的三个第一突起部之间构成三角形，所述三角形内部具有一个二突起部，其中d1>d2，所述第一突起部和第二突起部直接或以曲面相连接从而使得所述连接区没有C面（即（0001）面）。

10.根据权利要求7所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述步骤4）中形成的AlN的厚度为10埃~200埃。